本發明涉及一種納米晶粒二氧化錫的電子束制備方法,可實現材料和結構的定區域定尺寸加工制備,屬于金屬氧化物材料制備和半導體器件制造工藝技術領域。該方法以純錫為原材料,通過電子束輻照氧化的物理機制,制備出納米晶粒的二氧化錫材料或含有二氧化錫的復合材料以及含有上述材料組織的特殊結構,其中二氧化錫的晶粒尺寸分布可達3~15nm。本發明基于電子束與材料的物理交互作用,不同于以往的化學合成方法,制備過程簡單,可控性強,可實現在微小特定區域內二氧化錫納米材料及復合材料的制備,亦可實現含二氧化錫的特殊結構的制造,為二氧化錫材料合成和微型器件制造提供切實可行的方法,解決現有化學技術方法中存在的工藝復雜、雜質殘留等問題。
聲明:
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