本發明公開了一種屏蔽中子和γ射線的Mxene?金屬/稀土氧化物?硼化物復合材料及其制備方法,屬于輻射防護材料技術領域。本發明要解決現有材料對屏蔽中子和γ射線存在屏蔽較差的技術問題。本發明通過原子層沉積(ALD)工藝在Mxene表面制備一層鈍化層,以提升Mxene的抗氧化性,然后利用一步溶劑熱法,對Mxene層間進行修飾生長高Z金屬氧化物和稀土金屬氧化物;最后通過靜電引力與Mxene?金屬氧化物雜化體進行自組裝,利用含硼化合物對Mxene雜化體進行包覆,從而進行表面修飾,制備出具有中子、γ射線屏蔽能力的Mxene?金屬/稀土氧化物?硼化物復合材料。本發明實現中子和γ射線的雙重屏蔽,具有廣闊的應用前景。
聲明:
“屏蔽中子和γ射線的Mxene-金屬/稀土氧化物-硼化物復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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