本發明涉及一種原位生長SiC納米線增強SiC陶瓷基復合材料,由增強纖維,SiC納米線,界面層和SiC基體組成;其特征在于SiC納米線原位生長在增強纖維上,界面層包覆在增強纖維和SiC納米線表面,SiC基體填充在增強纖維和SiC納米線圍成的間隙中;所述的增強纖維為C纖維或SiC纖維;所述的SiC納米線直徑為50~200nm,長度為0.5~3mm;所述的界面層為PyC或BN,厚度為0.02~0.1μm。本發明有效地解決了SiC納米線在纖維預制體內較難均勻分布的問題,同時通過原位生長SiC納米線充分發揮了SiC納米線對SiC陶瓷基復合材料的優勢等。
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