本發明公開一種高電磁波屏蔽碳化硅陶瓷基復合材料及其制備方法。所述高電磁波屏蔽碳化硅陶瓷基復合材料包括碳化硅基體以及均勻分布在所述碳化硅基體周圍的Al2O3/RE2O3透波相和SiBCN吸波相構成的透波/吸波網絡;所述高電磁波屏蔽碳化硅陶瓷基復合材料中所述Al2O3/RE2O3透波相的質量百分含量為5~15wt%,所述SiBCN吸波相的質量百分含量為10~25wt%;RE為Dy、Y、Er或Yb,優選為Y。
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