本發明公開了一種鋁基碳化硅復合材料及其制備方法,采用高溫碳熱還原法去除碳化硅原料表層的SiO2氧化層,并通過真空環境下的高溫退火工藝讓SiC原料表層的Si原子逃逸出SiC原料表層,使得剩余的碳原子重新組合形成少層石墨烯,通過高溫退火溫度和時間工藝調控石墨烯層數,石墨烯能夠阻止氧原子與內層碳化硅接觸,防止高脆性、低熱導率的SiO2氧化層形成,進而顯著提高鋁基碳化硅復合材料中碳化硅與鋁合金的界面接觸性能,獲得綜合物理性能優異的鋁基碳化硅復合材料。本發明方法能夠制備碳化硅體積百分比在30~70%范圍內連續變化的鋁基碳化硅復合材料,實現鋁基碳化硅復合材料的密度、熱導率和力學性能在較大范圍內連續變化,適應多種應用需求。
聲明:
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