本發明公開了一種用于調制摻雜的場效應晶體管(MODFET)的增強的T形柵極的結構和方法。增強的T形柵極具有將T形柵極的頸部夾在之間的絕緣間隔層。間隔層薄于T形條部分懸伸部分。絕緣層提供了機械支撐并在隨后的器件處理期間保護了脆弱的頸部不受化學侵蝕,使T形柵極結構具有高的伸縮性并提高了成品率。使用低介電常數的薄保形絕緣層可以確保低柵極寄生電容,并降低了在源-柵間距減小到較小尺寸時,柵極和源極冶金接觸短路的危險性。
聲明:
“用于調制摻雜的場效應晶體管的增強的T形柵極及其制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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