本發明公開了一種采用粉末冶金的硅真空固態提純方法,包括:1)將粉狀的硅料壓鑄成塊狀,放入真空爐或不適宜放置粉料的設備中,抽真空,加熱到500~1400℃,并保溫5~25小時;2)冷卻至室溫后,將硅料取出,破碎、酸洗,得到提純的硅。本發明可以避免在抽真空過程中造成硅料的損失以及硅粉對爐內和真空系統的污染,影響真空熔煉設備的壽命,而且通過采用粘結劑,有助于硅中雜質的分離,達到提純的目的。
聲明:
“采用粉末冶金的硅真空固態提純方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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