本發明涉及一種用于對聚合物熔體除氣的改善的裝置,其特征主要在于具有以下特征,至少一個真空分離器(15;15a、15b)在真空分離器殼體(115)的容器內部空間(115c)中具有彼此平行延伸的冷卻管(45),冷卻管(45)構造成雙層壁的,冷卻管(45)在收集空間(57)或真空分離器殼體(115)的容器底部(115d)上方的一定距離(H)處結束,并且設有包括刮刀或刮除器(61)的清潔裝置(RV),所述清潔裝置與冷卻管(45)的橫截面形狀并且優選與真空分離器殼體(115)的內壁的走向適配并且能至少在一個部分高度上至少一直移動到冷卻管的下端部。
本發明提供一種氫氧氣體產生用電極板及其制造方法。該電極板使水電解而產生氫氧氣體,包括二氧化鈦、鈷氧化物、鉻氧化物、鎳氧化物和陶瓷催化劑。而且,在使水電解而產生氫氧氣體的電極板的制造方法中,包括:攪拌混合物步驟(S1),均勻攪拌粉末狀二氧化鈦、鈷氧化物、鉻氧化物、鎳氧化物、碳納米管、鎳(Ni)或鉻(Cr)以及陶瓷催化劑而形成分散度較高的攪拌混合物;壓制成型步驟(S2),將所述攪拌混合物投入模具并壓制成壓制成型物;燒結步驟(S3),將所述壓制成型物在真空燒結爐中進行燒結。
本發明制造一種鐵基燒結合金,其中基于鈦碳化物粉末的硬質粒子以島狀分散在包含奧氏體+馬氏體的兩相結構的基質中。通過將鈦碳化物粉末、Cr粉末、Mo粉末、Co粉末以及Al、Ti或Nb的任一種的粉末混合以獲得以質量%計含有20%至35%的鈦碳化物、3.0%至12.0%的Cr、3.0%至8.0%的Mo、8.0%至23%的Ni、0.6%至4.5%的Co和0.6%至1.0%的Al、Ti或Nb的任一種的混合粉末,然后對所述混合粉末進行冷等靜壓成型、真空燒結和固溶處理而獲得所述鐵基燒結合金。
一種硬質合金燒結體(例如刀具)及其制備方法。硬質合金燒結體包括碳化鎢、含有至少一種鐵族金屬或其合金的粘結劑相以及一種或多種固溶體相。每種固溶體相均包含鋯、鈮與鎢組合的碳化物和碳氮化物中的至少一種。所述方法包括:提供粉末混合物,該粉末混合物包括碳化鎢、含有至少一種鐵族元素或其合金的粘結劑金屬粉末以及鋯與鈮的碳化物和碳氮化物中的至少一種,所述鋯與鈮的碳化物和碳氮化物包括鋯與鈮的碳化物或碳氮化物的粉末,將所述粉末混合物制成生坯,以及在1400-1560℃下對所述生坯進行真空燒結或HIP燒結。
本發明公開了一種制造用于受激準分子激光的合成石英玻璃的方法,該方法通過如下方式來制造上述合成石英玻璃:在靶上沉積氧化硅顆粒以形成多孔氧化硅母材,所述氧化硅顆粒通過使氧化硅原材料在真空燒結爐中的氫氧焰中氣相水解或氧化分解得到;將所述多孔氧化硅母材玻璃化;并對玻璃化的材料進行熱成型、退火處理及氫摻雜處理,其中多孔氧化硅母材的玻璃化包括:(a)在400℃以上、且低于900℃的溫度范圍,將真空壓力保持在20.0Pa以下的步驟;(b)在900℃以上、且低于1100℃的溫度范圍,將真空壓力保持在10.0Pa以下的步驟;及(c)在1100℃至透明玻璃化溫度的溫度范圍,將真空壓力保持在3.0Pa以下的步驟。
本發明涉及一種場發射顯示器電子發射源及其制造方法,所述制造方法包括提供形成陰極的第一基板,在第一基板上利用網印或微影蝕刻技術制造含有孔穴的陰極電極層,陰極電極層表面經微影制造程序制造光阻保護層,再將低黏度納米碳管溶液涂布在上述光阻保護層并沉積在孔穴中,經真空燒結并利用蝕刻技術去除光阻保護層形成位于孔穴內的具有平坦表面的電子發射源層。電子發射源包括形成在第一基板上的陰極、形成在所述陰極表面并含有孔穴的陰極電極層以及經蝕刻顯像及真空燒結而高密度沉積在孔穴中的帶有平坦表面的電子發射源層。本發明的電子發射源具有較好的平坦性、可提高影像與亮度均勻性并增加納米碳管的密度從而有助于提高電子束電子密度。
一種場發射顯示器的納米碳管陰極定向燒結方法,利用納米碳管本身良好彈性,在陰極結構制作完成后,用一箝制裝置使其與陽極固定結合,在結合后將陰、陽極固定放置在真空燒結爐的加熱裝置上,所述陰極結構與加熱裝置鄰接,而陰、陽極結構通過兩電極線與外部電壓電源銜接,再以抽真空裝置將真空燒結爐內壓力降低,然后啟始加熱裝置加熱,使陰極結構熔融,再持續加熱時,開始對陰、陽極結構提供一電壓,使納米碳管未固定端可以與電場方向平行或近似平行,而納米碳管一端可以垂直固著在陰極電極上。
形成超細粒 子薄膜的方法,包括以下步 驟:在真空下設置基體,該 基體具有帶底孔、通孔、或 槽;在孔,通孔或槽的內壁 表面上應用超細粒子的懸 浮微粒,所述懸浮微粒在高 于102pa的壓力下分散和飄浮在氣體中;以及懸浮微粒擴散和 吸附到內壁表面上。用于形成超細粒子薄膜的裝置,包括:懸浮 微粒的發生裝置;支承機構;加熱機構;壓力調節機構;薄膜形成 容器;以及真空系統。
本文的實施方案提供了將細破碎物與粗破碎物分離的方法,該方法包括以下步驟:在位于離心散射裝置內的篩子下方產生低氣壓區域,然后將空氣、粗破碎物和細破碎物的混合物攝入到離心散射裝置中。優選地,該方法將通過使引導件繞離心散射裝置的內部腔旋轉同時使用低氣壓和重力迫使細破碎物穿過篩子進入細破碎物收集器而繼續進行。優選地,允許粗破碎物沿著篩子在引導件的引導下行進至與細破碎物收集器分離的粗破碎物收集器。
本發明公開了真空分離器,其用于從產物分餾塔上游的漿液加氫裂化反應器中分離瀝青料流。本發明公開了方法和設備,該方法和設備從產物料流中去除瀝青,以使得在分餾塔中能夠更容易地分離輕質VGO和重質VGO。由于瀝青在產物到達分餾單元之前分離,因此可在單個分餾步驟中進行產物分餾。
描述了一種用于離子泵中的真空燒結和釬焊導管陽極元件(300、704-720、904-920、922-964)以及一種用于離子泵中的真空燒結和釬焊(“VFB”)陽極陣列元件(700、800、900、902、1100),VFB陽極陣列元件(700、800、900、902、1100)包括第一VFB導管陽極元件(300、704-720、904-920、922-964)和第二VFB導管陽極元件(300、704-720、904-920、922-964),其特征在于,第二VFB導管陽極元件(300、704-720、904-920、922-964)鄰近第一VFB導管陽極元件(300、704-720、904-920、922-964)。第一VFB導管陽極元件(300、704-720、904-920、922-964)與第二VFB導管陽極元件(300、704-720、904-920、922-964)真空釬焊在一起。
本實用新型涉及一種電子發射源的真空燒結裝置,包括基座、設于基座上的燒結爐、覆蓋該燒結爐的玻璃蓋板、設于該基座并通過抽氣閥與該燒結爐相通的低壓產生模塊、設于該燒結爐的低溫產生模塊、及設于該燒結爐內且鄰近于該抽氣閥的隔板。該玻璃蓋板使該燒結爐內呈封閉區域,該低溫產生模塊包括紅外線陶瓷加熱板及可均勻散熱的陶瓷薄板,陶瓷薄板設于該紅外線陶瓷加熱板上,且令場發射顯示器的電子發射源層的玻璃基板貼附于該陶瓷薄板上;其中,該低溫產生模塊以一預定速率變化溫度。上述真空燒結裝置可提供直接熱傳導及漸進式增溫,借以延長燒結裝置的使用壽命、以及提高升溫或減溫速率、以提高生產效率。
一種連續量產式真空燒結裝置,包括輸送單元、及利用該輸送單元傳送的多個真空燒結系統,每一真空燒結系統包括燒結爐、及電連接至該燒結爐的真空控制單元與溫度控制單元。其中,上述多個真空燒結系統分別對應多個狀態控制階段;每一階段間隔一預定時間;每一真空燒結系統各自獨立,且每一真空燒結系統的壓力與溫度狀態均不互相影響。通過每一真空燒結系統在輸送單元上具有不同程度的燒結狀態,以便監控產品的燒結進度與產量。
一種避免夾帶尿素并消除在尿素溶液真空分離 時形成的污染物及尿素制備過程中形成的水的方法, 該方法包括:用兩個步驟對最后的尿素蒸餾得到所含 殘留水可忽略不計的熔化尿素,對不同溫度和壓力的 兩個分離階段對蒸餾蒸氣進行真空分離,特征是至少 在一個分離階段對含有H2O,NH3、CO2和夾帶有尿 素的蒸餾蒸氣進行洗滌,同時在第二環狀區域,富集 尿素的溶液收集起來被排放出去。實施此方法的設 備是分離器,尤其是旋風型、重力型以及類似的分離 器。
一種可使裝置小型化,增加熔化鑄造的循環次數提高運行效率的真空熔鑄裝置,能適應各種要求并可熔化、鑄造、鑄造品回收等多種處理中進行選擇。分為熔化室(1)、鑄造室(2)、回收室(3)并減小各自容積,熔化室與鑄造室間通過設有無論哪個真空度高都可真空密封的第一閘閥(12)的第一密閉通路(13)連接,鑄造室與回收室間設有瓣閥(99),該瓣閥在回收室內對連接通路即第二密閉通路(23)下游側端部開、閉。還設有接受來自熔化室的熔化爐(11)的熔融金屬并使其流向鑄造室的澆口盤(61)的方形環行器(41),出爐時該環行器插入打開的第一閘閥(12)和第一密閉通路(13),除出爐以外的時間,該環行器回到鑄造室(2)內且第一閘閥(12)關閉。
本發明要提供一種能夠與熔鑄室的下個周期的熔煉、制造同時進行并對來自熔鑄室的鑄造產品進行二次冷卻的真空熔鑄裝置。作為二次冷卻裝置70,在熔鑄室11的下方通過閘門閥54設置有密封室51,將裝有蓋74的帶凸緣73的短管72插入密封室51的連接口56中并與之相連,從而準備出轉動冷卻容器71。在轉動冷卻容器71中,在設置于其轉軸76上的轉動管接頭77上設置有真空排氣口78以及通過熱交換器來降低溫度的氬氣注入口79。在熔鑄室11、密封室51與轉動冷卻容器71連通的狀態下,在熔鑄室11中熔煉、鑄造所得的鑄造產品被容放在轉動容器71中,隨后,使轉動容器71與密封室51分開并通入溫度被降低的氬氣。從而邊使之轉動,邊二次冷卻鑄造產品。
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