本實用新型公開了一種失效電池氣體壓力測量裝置,其包括:收容件,包括底板、設置在底板上的側板和柔性側板、設置在柔性側板內壁上的鋼釘,以及密封側板和柔性側板的若干層防爆片,側板、柔性側板和防爆片共同圍成收容電池或電池模組的收容空間;擠壓設備,包括擠壓頭和驅動擠壓頭擠壓設置于柔性側板內壁上的鋼釘的擠壓機;以及測量裝備,包括可插入收容空間中的氣壓計和注射器。相對于現有技術,本實用新型失效電池氣體壓力測量裝置可將電池或電池模組穿釘的氣體全部留在密封容器內,防止氣體通過穿釘口外溢;通過設置多層防爆片,可有效防止氣體壓力對收容件的沖擊;可收集電池或電池模組失效產生的氣體并進行分析,同時測量氣體壓力。
本實用新型提出垂直循環立體車庫吊籃駐車自穩及載車板失效檢測系統,所述系統中的立體車庫設有多個用于駐車的吊籃(102),各吊籃在車庫貯車空間內的豎向平面周轉運行,所述吊籃底面處設有槽形件(3),車庫基座(104)處設有導輪(2),所述導輪的輪面和槽形件走向均與吊籃周轉運行面平行;當吊籃周轉運行至車庫最下方??恳允沟趸@內的載車板(4)可供車輛(103)出入時,車庫基座導輪進入吊籃底面槽形件的導槽內,車輛出入動作對載車板的施力驅動吊籃擺動,使吊籃槽形件導槽壓于導輪輪面,所述導輪通過槽形件對載車板制動并支撐載車板;本實用新型可以提高垂直循環系統駐車的穩定性,提高泊車舒適度。
本發明公開了一種逆變器的濾波電容失效檢測方法,直流母線中點與逆變模塊輸入中點連接時,包括以下步驟:獲取直流母線中點和三相濾波電容公共端之間的瞬時電壓值;判斷所述的瞬時電壓值是否大于或等于設定的第一閾值T1,若判斷結果為是,則確定濾波電容需要檢修或更換;所述設定的第一閾值T1的取值范圍為,0<T1≤1.225UN;所述UN為電網相電壓有效值。本發明的檢測方法簡單,采集的數據量少,運算簡單。
本發明提供了一種連接強度檢測及失效節點圖像采集裝置,包括支架,連接檢測材料一端的支撐臺,連接所述檢測材料另一端的壓頭,能夠帶動所述壓頭升降的升降機,能夠采集所述壓頭的受力信息的測力傳感器,采集所述檢測材料的焊接處圖像的高速攝像機,與所述測力傳感器和所述高速攝像機電連接的計算機,以及能夠對所述檢測材料的焊接處進行加熱的電阻爐,所述升降機固設于所述支架上,所述支撐臺固設于所述壓頭的下方,所述壓頭固設于所述升降機上,所述高速攝像機連接有能夠調節所述高速攝像機的高度的攝像高度調節結構,所述攝像高度調節結構固設于所述支架上,所述電阻爐可拆卸連接于所述支架上。
本發明公開了一種塑料模具失效的檢測裝置,包括裝置體,所述裝置體內設有檢測腔,所述檢測腔內滑動設有墊塊,所述檢測腔底壁內設有第一傳動腔,所述墊塊下端面上固定設有貫穿所述檢測腔底壁的壓桿,所述壓桿下端伸入所述第一傳動腔內,所述墊塊與所述檢測腔底壁之間固定設有第一復位彈簧,所述壓桿下端固定設有安裝塊,本發明結構簡單,使用便捷,只要將生產完成的塑料放入裝置中,啟動裝置,即可通過一系列機械動作,將塑料產品封住,在進行體積檢測,從側面檢測模具是否失效,簡單便捷,自動化程度高,檢測迅速,提高了效率。
本發明適用于繼電器技術領域,提供了一種繼電器失效檢測裝置及方法,所述裝置包括:控制器、第一電阻、第一電容和電信號采集模塊;其中第一電阻并聯在第一繼電器的兩端;第一電容并聯在變流器的正負極之間,控制器與電信號采集模塊連接;電信號采集模塊用于采集電信號,并將電信號發送至控制器;控制器根據電信號確定第一繼電器及所述第二繼電器是否失效,本申請通過檢測電信號的大小確定第一繼電器和第二繼電器是否正常工作,能夠實現繼電器工作狀態的在線檢測,從而提高繼電器失效檢測的準確性,保證電能變換系統的正常運行。
本發明提供一種芯片指令高速緩存失效的檢測方法,所述方法為:1、在芯片指令高速緩存中預設復數個最小指令單元,2、根據宏函數的遞歸性,逐級創建宏函數單元,各級宏函數單元包裹有最小指令單元,且每一級宏單元不斷的包裹前一級宏單元構成了一大函數,3、CPU內的邏輯運算單元ALU從高速緩存中獲取大函數中所有的最小指令單元的指令進行執行,邏輯運算單元ALU訪問高速緩存的每個比特,大函數中的指令會依次執行,大函數執行完成,則整個芯片指令高速緩存進行了遍歷;4、根據大函數是否完成即能判斷芯片指令高速緩存是否失效或者異常。本發明還提供了一種芯片指令高速緩存失效的檢測系統,本發明提高檢測效率,加快芯片檢測的流通環節,省時省力。
本發明適用于電力電子技術領域,提供了一種檢測相控整流電路中失效晶閘管的方法、裝置及終端設備,該方法包括:監測輸入相控整流電路的三相交流電電流的瞬時值;基于監測的三相交流電電流的瞬時值,計算所述三相交流電電流在一個市電周期內的模值;基于計算的所述三相交流電電流在一個市電周期內的模值判斷所述三相交流電在一個市電周期內是否存在脈沖丟失;若存在脈沖丟失,則判定所述相控整流電路中存在失效晶閘管。本發明通過三相交流電電流在市電周期內的模值判斷三相交流電在一個市電周期內脈沖的丟失情況,進而根據脈沖的丟失情況判斷失效晶閘管,提高了檢測相控整流電路中失效晶閘管情況的準確性和簡捷性。
本實用新型涉及涉及一種檢測水位電路失效自動識別裝置領域,具體涉及一種電熱水壺檢測水位電路失效自動識別裝置和熱水壺,其中,電熱水壺檢測水位電路失效自動識別裝置包括熱水壺本體和熱水壺底座,所述熱水壺本體設有耦合器上座、水位傳感器,熱水壺底座設有耦合器下座、檢水位電路和單片機,所述水位傳感器的輸出端依次通過耦合器上座、耦合器下座電連接檢水位電路檢測端口,所述水位傳感器的輸出端還通過一電阻單元接熱水壺本體的壺壁,檢水位電路和單片機連接。本實用新型當檢水位電路檢測到電壓大于預設的固定電壓值,就可以判斷耦合器接觸不良或因為其他原因導致檢水位回路斷路,則停止加水,從而避免加水滿出來。
本發明涉及一種交流電檢測單元失效的判斷方法,定時Ts對一交流電檢測單元輸出的電壓值或電流值進行采樣;將每一采樣值與一基準值進行比較后,將所述采樣值轉換為二進制位碼1或0,并將所述二進制位碼按位存儲于一存儲單元;在一判斷周期內共采樣A個采樣值,且所述判斷周期A*Ts不小于所述交流電的周期T;按位讀取并統計所述存儲單元中二進制位碼1和0個數,分別記為B和C;將B、C分別與一閾值進行比較,或將|B?C|與該閾值進行比較;當至少B或C中任一項小于該閾值或|B?C|大于閾值,則判斷為所述交流電檢測單元失效;其中,|B?C|為B與C之差的絕對值。本發明所提出的一種交流電檢測單元失效的判斷方法,有效地實現了對交流電檢測單元失效的判斷。
本發明公開一種工業用濾料失效的檢測方法,首先對工業用濾料的高分子結構進行分析,在保證濾料基本性能的前提下,通過優化計算得到最簡化的反應物(即結構單元)能量為E0;利用現有的量子化學軟件模擬反應物與單一影響因素的反應,通過計算、分析得到反應中間體能量E#,max和最終產物能量Ee;然后,通過反應中間體和反應物間的能量對比,得出該影響因素與反應物間的能壘(ΔE=E#,max-E0);其中能壘最低的影響因素為導致濾料失效的主要原因;最后,通過量子化學軟件模擬得出重復的結構單元與各影響因素間的能壘,驗證各影響因素對濾料失效的影響程度。本發明旨在提出一種分析濾料失效主要原因的檢測方法。
本實用新型公開一種發光二極管失效分析解剖裝置,包括操作平臺、調溫加熱臺及體視顯微鏡;操作平臺設置加熱板,該加熱板與調溫加熱臺電連接,加熱板加熱發光二極管表面封裝膠體;操作平臺置于體視顯微鏡的視場范圍中。本實用新型可以減少損傷LED芯片,提高失效異常分析的準確性,同時提高LED芯片解剖效率。
本發明提出型鋼混凝土組合構件從損傷到失效的綜合評價分析方法,包括以下步驟;步驟A1、根據由臨界判定函數建立的失效模式判別準則,判斷構件在低周往復荷載作用下的失效模式;步驟A2、針對鋼筋混凝土材料部分,以混凝土的受壓損傷因子表征材料的損傷;步驟A3、針對型鋼材料部分,分別以型鋼屈服和達到極限強度作為損傷起點和終點,確定型鋼的損傷因子;步驟A4、統計兩種材料的綜合損傷,提出綜合損傷因子;步驟A5、根據各失效模式下構件損傷性能等級判定標準,由材料損傷指標確定構件的損傷性能階段;本發明可以建立構件損傷量化模型,實現由材料損傷微觀層面過渡到構件性能劣化的宏觀層面,為該類構件的失效演化分析和損傷評價建立理論依據。
本發明公開一種發光二極管失效分析解剖裝置,包括操作平臺、調溫加熱臺及體視顯微鏡;操作平臺設置加熱板,該加熱板與調溫加熱臺電連接,加熱板加熱發光二極管表面封裝膠體;操作平臺置于體視顯微鏡的視場范圍中。本發明還公開一種發光二極管失效分析解剖方法。本發明可以減少損傷LED芯片,提高失效異常分析的準確性,同時提高LED芯片解剖效率。
本申請實施例提供一種CPU失效位置的定位分析方法及相關產品,所述方法包括:在CPU測試狀態下,CPU迭代運行指令直至該CPU的迭代運行指令處于異常狀態,記錄迭代運行指令的CPU的各寄存器的狀態值;將迭代運行指令的CPU的各寄存器的狀態值與該測試狀態下預設的各寄存器的真實golden值進行比對得到比對結果;依據所述比對結果實現對CPU失效位置的定位。本申請的技術方案具有精確定位的優點。
本發明涉及一種快速識別陶瓷涂層失效類型的聲發射信號分析方法。首先采集涂層試驗過程中產生的聲信號,提取信號特征參數,對聲發射信號進行聚類分析,然后選取最靠近各個聚類中心的信號對其進行小波變換,并提取能譜系數作為模式識別的特征參數,根據能量分布識別出涂層損傷類型。最后統計各類損傷的聲發射事件數,將所得數據與外加載荷?位移曲線相結合,得到涂層失效過程的臨界載荷及相應的信號頻率,全面了解陶瓷涂層在外加載荷作用下的失效過程。本發明為陶瓷涂層的失效機理研究提供了直接的依據,對涂層正常服役的壽命預測具有重大意義。
本發明涉及一種對失效芯粒的自動分析方法及系統,所述方法包括以下步驟:收集待測晶圓的WAT數據及CP數據,進行數據分析處理,所述WAT數據為待測警員的電性測試數據,所述CP數據為待測晶圓上每一個芯粒的測試數據;根據待測晶圓不同的WAT測試項目、測試坐標將待測晶圓的WAT數據生成對應測試項目的WAT?mapping圖;根據待測晶圓不同的CP測試項目、測試坐標將待測晶圓的CP數據生成對應測試項目的CP?mapping圖,并根據生成的CP?mapping圖單獨提取與WAT相對應shot位置的數據,形成新的CP?WAT?mapping圖;將待測晶圓的WAT?mapping圖與CP?WAT?mapping圖進行比對,計算得到WAT?mapping圖與CP?WAT?mapping圖的相似值,并根據計算得到的相似值大小排序,判斷出待測晶圓的CP測試項目與WAT測試項目的相關性。節省人力物力,提高效率。
本發明涉及一種芯片鈉離子沾污失效分析實現方法,包括次級離子質譜儀,其特征在于,按如下步驟進行:a.Decap機將成品芯片的封裝去掉,露出芯片表面;b.用次級離子質譜儀做出芯片表面的離子圖譜;c.用次級離子質譜儀做出芯片表面的鈉離子分布圖;d.結合離子圖譜和鈉離子分布圖對鈉離的沾污層度進行分析。本發明利用次級離子質譜儀檢測分析芯片鈉離子沾污情況,可有效了解芯片具體情況,防止由于鈉離子沾污造成芯片時效的事故發生。
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