陜西西安有色金屬化學分析技術理論與應用

防腐涂層剩余壽命的評估方法 1081     

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本公開提供一種防腐涂層剩余壽命的評估方法，涉及在役防腐涂層安全監測技術領域。該評估方法包括：在預設環境下對防腐涂層進行腐蝕試驗，并獲取腐蝕特征參數，腐蝕特征參數包括電化學參數以及預設波長的紅外吸收峰值；對防腐涂層重復腐蝕試驗，直至防腐涂層完全失效，得到多個電化學參數及多個預設波長處的紅外吸收峰值；分別對電化學參數和預設波長的紅外吸收峰值進行擬合，得到電化學參數對應的第一擬合參數以及預設波長的紅外吸收峰值對應的第二擬合參數；根據第一擬合參數和第二擬合參數得到腐蝕特征參數與防腐涂層的剩余壽命的對應關系。本公開的防腐涂層剩余壽命的評估方法可提高防腐涂層剩余壽命評估的準確性。

基于情景記憶的無人機控制決策方法 728     

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本發明提出了一種基于情景記憶的無人機控制決策方法，實現步驟為：構建無人機控制場景；獲取各個無人機的觀測信息；構建深度強化學習模型H并進行初始化；構建情節記憶探索表；對深度強化學習模型H迭代訓練；使用訓練后的深度強化學習模型H對無人機行為進行自主控制。本發明使用多智能體分布式情節記憶探索表存儲智能體過去相似經歷的最優回報，并在智能體實際的探索過程中采用隨機動作和情節記憶探索表中最優探索動作組合的形式進行動作選取，提高無人機控制任務的完成率和深度強化學習算法的收斂時間。

SiO₂-MoS₂電極材料、制備方法及應用 864     

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本發明公開了一種SiO₂?MoS₂電極材料、制備方法及應用，采用操作簡便的水熱法制備出了在MoS₂中復合少量二氧化硅微球的SiO₂?MoS₂電極材料。經過一系列電化學測試后，當SiO₂添加量為1mL時，SiO₂?MoS₂材料有最優的電化學性能。當電流密度為5A g^?1時，SiO₂?MoS₂電容值為1448.5F g^?1。相對于單一的MoS₂，復合了少量SiO₂樣品的電化學性能得到了較大的提高。因此，SiO₂?MoS₂是一種非常有潛能的電極材料，這也為日后人們研究別的復合介質提高單一電極材料的電化學性能提供了重要依據。

P3型鈉離子電池層狀正極材料及其制備方法和應用 766     

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本發明公開了一種P3型鈉離子電池層狀正極材料及其制備方法和應用，屬于鈉離子電池正極材料技術領域。本發明公開的P3型正極材料通過調控過渡金屬層的組成和比例，采用溶膠凝膠法結合燒結的方式可制備出一類全新的鈉離子電池層狀正極材料。該制備方法簡單高效，所用原料便宜易得，成本較低。本發明公開的P3型鈉離子電池層狀正極材料用于鈉離子電池時，優化了其電化學性能，在低電壓測試區間內可展現出優異的鈉離子傳輸動力學，具有突出的循環穩定性及倍率性能，同時，由于該正極材料的設計策略瞄準特定電化學行為進行組分調控，因此可廣泛用于其他電化學行為的調控以及二次電池體系(如鋰電池、鉀電池、鎂電池等)，具有潛在的電化學應用前景。

銅碘團簇基微立方閃爍體及薄膜的制備和應用方法 868     

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本發明涉及一種銅碘團簇基微立方閃爍體及薄膜的制備和應用方法，是一種能夠產生電離輻射激發發射的微立方閃爍體。微立方閃爍體包含摻雜在基質層中的銅碘團簇基微立方閃爍體。銅碘團簇基微立方閃爍體的化學式為C18H38Cu4I6N4?；|層是一些高透光性、優異的化學穩定性和良好的機械性能的聚合物。本發明的另一方面是電離輻射成像系統，微立方閃爍體放置在摻雜微立方閃爍體的基質層后方的數字照相機。光電探測器可以是下述的任意一種。通常，光電探測器是光電倍增管(PMT)探測器，薄膜晶體管(TFT)光電二極管傳感器，電荷耦合器件(CCD)傳感器，互補金屬氧化物半導體(CMOS)傳感器或銦鎵氧化鋅(IGZO)TFT傳感器。

地下水生態模擬實驗裝置 936     

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本實用新型涉及一種地下水生態模擬實驗裝置，包括實驗箱、儲水箱、土壤樣品，實驗箱一端上下均布有若干進水口，另一端上下均布有若干出水口，進水口通過進水管與儲水箱相連通，出水口連接有出水管，實驗箱內均勻設有豎直的擋板，擋板上均布有過流孔眼，擋板分隔開的每個樣品空間內設有土壤樣品，土壤樣品內插設有豎直的監測孔管，監測孔管外圓周上均勻開設有孔眼，監測孔管內設置有監測探頭，實驗箱底部設置有與其內腔相通的排水排泥管；本實用新型結構簡單，可實現模擬水動力場、水化學場，為地下水的原位化學氧化技術、原位生物修復技術、可滲透性反應墻工藝提供了可靠的實驗基礎。

釤摻雜氯氧鉍橙紅色熒光粉及其制備方法 1050     

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本發明公開了一種釤摻雜氯氧鉍橙紅色熒光粉及其制備方法，包括以下步驟：以Sm2O3和Bi2O3作為原料，按照化學式BiOCl：xSm3+的化學計量比進行原料稱取，其中x＝0.010～0.030；將白色沉淀物離心分離，用去離子水多次洗滌去除白色沉淀物殘留溶液中的Cl—，并用AgNO3溶液對洗滌液進行檢驗判斷，以確保Cl—完全去除；將步驟4)處理之后的沉淀物烘干，采用水解法制備BiOCl：Sm3+橙紅色熒光粉，方法簡單易行、條件溫和、經濟環保，適用于大規模生產，并且制備出的熒光粉粒度均勻、粒徑尺寸小、形貌規整，并且獲得的熒光粉發光性能優良。

草本植物提取液凈化劑的制備方法 963     

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一種草本植物提取液凈化劑的制備方法，涉及一種空氣凈化劑。在植物提取液中加入EM菌，發酵后再加入椰殼活性炭浸泡，過濾后即得產物。所制備的去除異味的天然植物提取液凈化劑經檢驗合格后，可裝入噴霧瓶內，使之變成生活中可用的產品。所述植物提取液的原料組成為花椒汁、洋蔥汁、蒜汁、薰衣草油、肉桂精油、橄欖油、茉莉精油、薄荷油。包含了從多種植物提取的有效成份，并在生物菌的作用下產生具有強大作用力的液體，能與各種有害、異味分子迅速發生聚合、取代、置換、吸附等化學反應，使原有污染氣體異味分子結構發生改變，采用植物液氣相反應法，能快速與臭氣分子發生化學反應，實現無臭化。

基于基板封裝的WLCSP封裝件 907     

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一種基于基板封裝的WLCSP封裝件,基板上與金屬凸點焊接區域電鍍一層錫層,第一IC芯片的壓區表面采用化學鍍法生成鎳鈀金或鎳鈀的金屬凸點,金屬凸點與基板上錫層用焊料焊接在一起,塑封體包圍了基板、錫層、焊料、金屬凸點、第一IC芯片構成了電路的整體,第一IC芯片、金屬凸點、焊料、錫層、基板構成了電路的電源和信號通道,生產流程為:晶圓減薄→化學鍍金屬凸點→劃片→基板對應區域鍍錫層→上芯→回流焊→塑封→后固化→植球→打印→產品分離→檢驗→包裝→入庫,本發明的WLCSP基于基板封裝,其I/O引腳數不限,且對芯片上各凸點與基板對位關系要求低,制作過程簡單,具有成本低、效率高的特點。

單晶渦輪葉片電火花制孔的重熔層去除方法 1012     

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一種單晶渦輪葉片電火花制孔的重熔層去除方法，按體積比(91～100):(40～44):(20～25)將鹽酸、水、雙氧水混合，得到腐蝕液，將電火花制孔后的葉片放入腐蝕液中，在超聲波下腐蝕20-40min將重熔層去除。本發明采用化學腐蝕法，簡便易行，并且去除效果較好，效率高，在DD6單晶渦輪葉片制造過程中經腐蝕檢驗表面再結晶的工序證明本發明的化學腐蝕不影響葉片的表面，是一種可行的方法。

植物提取液空氣凈化劑及其制備方法 1060     

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一種植物提取液空氣凈化劑及其制備方法，涉及一種空氣凈化劑。在植物提取液中加入EM菌，發酵后再加入椰殼活性炭浸泡，過濾后即得產物。所制備的去除異味的天然植物提取液凈化劑經檢驗合格后，可裝入噴霧瓶內，使之變成生活中可用的產品。所述植物提取液的原料組成為花椒汁、洋蔥汁、蒜汁、薰衣草油、肉桂精油、橄欖油、茉莉精油、薄荷油。包含了從多種植物提取的有效成份，并在生物菌的作用下產生具有強大作用力的液體，能與各種有害、異味分子迅速發生聚合、取代、置換、吸附等化學反應，使原有污染氣體異味分子結構發生改變，采用植物液氣相反應法，能快速與臭氣分子發生化學反應，實現無臭化。

以廢印刷線路板為原料制備超級活性炭的方法 1116     

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一種以廢印刷線路板為原料制備超級活性炭的方法,包括從廢印刷線路板中分離非金屬物、廢印刷線路板非金屬分離物的純化、樹脂固化碳化、活化工藝步驟,還包括對所制備的超級活性炭的性能進行測試步驟。本發明采用活性物質配制成溶液,通過離心分離使印刷線路板中非金屬物料中的樹脂與玻璃纖維和殘余金屬分離,玻璃纖維作為增強材料循環使用,樹脂中摻雜固化劑促進樹脂在熱處理過程中進一步交聯縮合,再經活化、水洗、干燥制備成超級活性炭。采用本發明所制備的超級活性炭經測試,雜質含量低、比表面積高、電化學充放電性能好。本發明可用于從廢印刷線路板中分離非金屬物、提取的樹脂制備超級活性炭。

熒光光纖溫度傳感器光纖探頭及制備方法 1180     

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本發明提出了一種熒光光纖溫度傳感器光纖探頭及制備方法,該光纖探頭具有結構簡單、體積小、重量輕、測量精度高、測量范圍大,重復性好,使用壽命長,抗化學腐蝕、抗電磁干擾等優點。該熒光光纖溫度傳感器光纖探頭,包括傳光光纖,傳光光纖一段通過環氧樹脂固定設置于連接頭內,另一段設置于保護套管內;設置于保護套管內的光纖端面上設置有反射樹脂層,反射樹脂層上設置有熒光層;保護套管與連接頭之間通過環氧樹脂密封連接。

有效解決環境異味的天然植物凈化液 781     

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一種有效解決環境異味的天然植物凈化液，涉及一種空氣凈化液。在植物提取液中加入EM菌，發酵后再加入椰殼活性炭浸泡，過濾后即得產物。所制備的去除異味的天然植物提取液凈化液經檢驗合格后，可裝入噴霧瓶內，使之變成生活中可用的產品。所述植物提取液的原料組成為花椒汁、洋蔥汁、蒜汁、薰衣草油、肉桂精油、橄欖油、茉莉精油、薄荷油。包含了從多種植物提取的有效成份，并在生物菌的作用下產生具有強大作用力的液體，能與各種有害、異味分子迅速發生聚合、取代、置換、吸附等化學反應，使原有污染氣體異味分子結構發生改變，采用植物液氣相反應法，能快速與臭氣分子發生化學反應，實現無臭化。

基于左手材料的楔形光波導的制備方法 1177     

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本發明涉及一種基于左手材料的楔形光波導的制備方法。具體涉及ITO導電玻璃基底上PVA薄膜的制備及其加熱固化、固化后的PVA薄膜基底上納米銀樹枝狀結構的化學電沉積制備及其表面PVA絕緣薄膜的涂覆、ITO導電玻璃基底上楔形PVA薄膜的制備以及基于銀樹枝狀結構左手材料的楔形光波導的組裝方法?？梢姽獯怪蓖ㄟ^楔形光波導時,透射曲線有透射通帶存在;可見光平行入射到楔形光波導內部時,在垂直于樣品表面方向上探測到的光譜峰值隨探測位置的變化發生移動。

洋槐蜜中摻有油菜蜜的鑒別方法 919     

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本發明公開了一種鑒別洋槐蜜中摻入油菜蜜的方法，首先用樹脂從蜂蜜中提取出酚酸類化合物，并用色譜純甲醇定容制成供試品溶液；再分別取一定量的十種酚酸對照品，用色譜純甲醇定容配制成對照品溶液。測定方法是分別吸取對照品溶液與供試品溶液注入高效液相色譜儀，以對照品為參照物，測定并記錄色譜圖，得到洋槐蜜的HPLC-ECD指紋圖譜，再用同樣的方法得到油菜蜜和摻入油菜蜜的洋槐蜜的HPLC-ECD指紋圖譜，將三者進行比較并結合化學計量學的方法來鑒別洋槐蜜中是否摻入油菜蜜。本發明設計合理，分離效果好、靈敏度高、可行性強，解決了洋槐蜜摻假鑒別及質量控制中的一個重要的技術問題。

多波長交叉鎖模飛秒激光器核心插件 1039     

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一種多波長交叉鎖模飛秒激光器核心插件,其雙反射膜片M設置于泵浦源的入射光處,該雙反射膜片之后設置有聚焦透鏡,聚焦透鏡之后設置有折疊鏡,兩個折疊鏡之間設置有激光晶體。本發明解決了背景技術中無法實現各自獨立調諧的同步、相干飛秒光源,不能有效進行激光探針測量的技術問題。利用本發明能有效的進行激光探針測量,研究諸如光合作用原初反應色素分子間的跨步能量傳遞,程控飛秒化學反應動力學,多激發態原子、分子光譜學、諧振耦合打斷、鍵合生物大分子等等。

6-芳基取代的喹啉類化合物及其應用 841     

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本發明公開了一種6-芳基取代的喹啉類化合物及其應用，屬于生物醫藥技術領域。本發明公開了6-芳基取代的喹唑啉及喹啉類化合物及其應用，該類化合物是一類新的能夠作為PI3Kδ抑制劑的化合物，通過對PI3Kδ激酶活性及PI3Kδ激酶的選擇性活性測定，證實本發明公開的化合物對PI3Kδ激酶活性具有明顯的抑制作用，對PI3Kδ的活性具有明顯的選擇性作用。通過對白血病細胞系的體外細胞增殖測定，顯示本發明公開的化合物對白血病細胞具有不同的抑制作用。本發明公開的化合物或其藥學上可接受的鹽、氘代物、水合物、溶劑合物、化學保護形式的前藥或其組合，這些化合物可以作為PI3Kδ抑制劑，在治療和/或預防炎性病或腫瘤中發揮作用。

數據中心能耗聯合優化方法、系統、介質及設備 890     

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本發明公開了一種數據中心能耗聯合優化方法、系統、介質及設備，構建數據中心多智能體環境；根據scheduling_agent的狀態空間、動作空間和獎勵函數構建任務調度強化學習模型；根據cooling_agent的狀態空間、動作空間和獎勵函數構建溫度調控強化學習模型；基于任務調度強化學習模型和溫度調控強化學習模型構建異構多智能體強化學習的聯合控制模型，向聯合控制模型中導入構建的數據中心多智能體環境；使用聯合控制模型，以數據中心整體能耗最小化為目標集中訓練scheduling_agent與cooling_agent，使用聯合控制模型訓練得到的scheduling_agent與cooling_agent，根據各自的觀測信息執行以降低自身能耗為目標的動作策略，同時保證動態數據中心環境的平衡，實現整體能耗最小化。本發明在降低計算能耗與制冷能耗之間取得平衡，同時降低數據中心的整體能耗。

碳納米管/聚煙酸復合修飾電極的制備方法及應用 1135     

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本發明提供一種能夠同時測定DA和UA電化學特性的修飾電極，將裸的碳糊電極置于煙酸溶液中，在-2.0V～2.0V電位范圍內循環掃描制成聚煙酸修飾電極；將碳納米管純化后分散于磷酸鹽緩沖液中，然后將該分散液滴加在聚煙酸修飾電極上，制成碳納米管/聚煙酸復合修飾電極。該修飾電極既可以用來單獨測定DA或UA的電化學特性，又可以測定DA和UA同時存在體系的電話學特性。碳納米管在聚煙酸修飾電極表面分散均勻，且修飾層相當牢固。進行循環伏安測定，DA或UA在該修飾電極上出現良好的氧化還原峰。本發明制成的電極測定靈敏度和選擇性高，具有很好的穩定性和重現性；電極修飾層牢固，電極壽命長達5個月以上。

閉式循環水系統鉬酸鹽濃度調控裝置 763     

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本實用新型公開了一種閉式循環水系統鉬酸鹽濃度調控裝置，包括閉式循環水系統水質旁路測量裝置和標定鉬酸鹽濃度條件下碳鋼平衡電極電位測量裝置；所述閉式循環水系統電極電位測量裝置包括水質旁路測量容器、水質測量旁路電化學工作站和第一水質處理器；所述標定鉬酸鹽濃度條件下碳鋼平衡電極電位測量裝置包括標準溶液電極電位測量容器、第二水質處理器和第二電化學工作站；第一水質處理器與第二水質處理器電連接。本實用新型的裝置無需人工操作，提高了閉式循環水中鉬酸鹽濃度調節的時效性。

含能化合物的計算機輔助設計系統 1104     

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本發明公開了一種計算機輔助設計含能化合物分子的系統,該系統用于輔助設計、開發新型含能化合物分子結構,并預測其爆轟性能。該系統至少包括:①用戶輸入模塊,所述模塊用于繪制分子平面結構;②文件輸入/輸出模塊,所述模塊可以對已有文件格式進行讀取、修改和存儲;③分子結構轉換模塊,所述模塊可將用戶繪制分子的平面結構轉換成三維結構;④顯示模塊,所述模塊能夠顯示打開的分子結構文件或用戶繪制的分子結構;⑤爆轟參數預測模塊,所述模塊可根據分子的性質來預測爆轟參數;⑥分子組合庫生成模塊,所述模塊利用組合化學原理生成含能化合物分子組合庫。

閉式循環水系統鉬酸鹽濃度調控裝置及使用方法 799     

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本發明公開了一種閉式循環水系統鉬酸鹽濃度調控裝置及使用方法，包括閉式循環水系統水質旁路測量裝置和標定鉬酸鹽濃度條件下碳鋼平衡電極電位測量裝置；所述閉式循環水系統電極電位測量裝置包括水質旁路測量容器、水質測量旁路電化學工作站和第一水質處理器；所述標定鉬酸鹽濃度條件下碳鋼平衡電極電位測量裝置包括標準溶液電極電位測量容器、第二水質處理器和第二電化學工作站；第一水質處理器與第二水質處理器電連接。本發明的裝置無需人工操作，提高了閉式循環水中鉬酸鹽濃度調節的時效性。

大氣成因宇生核素¹⁰Be/⁹Be的無載體制備方法 1127     

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本發明提供了一種大氣成因宇生核素¹⁰Be/⁹Be的無載體制備方法；本發明方法建立無需加入⁹Be載體，可直接使用AMS測定樣品中¹⁰Be/⁹Be比值的化學處理制備方法。本發明方法無需制備兩份樣品分別使用AMS和ICP?AES兩臺儀器測試¹⁰Be和⁹Be含量，僅使用AMS一臺儀器一次測試即可得到樣品中¹⁰Be/⁹Be比值；無需制備空白樣品用以校正樣品真實比值；測試數據的精度較現有方法數據精度提高一倍；實驗周期縮短了近三分之一，降低了實驗成本；本發明方法不再使用劇毒的⁹Be載體，大幅降低了對實驗人員和自然環境的潛在風險。

基于復合材料沖刷磨損性能的高通量評價裝置及方法 1184     

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本發明公開了一種基于復合材料沖刷磨損性能的高通量評價裝置及方法，將待測的靜止測試試樣和運動測試試樣裝入沖蝕夾具中，并將沖蝕夾具安裝至試驗倉中，將靜止測試試樣與電化學測量系統連接；調制沖蝕液組分，并將沖蝕液組分注入試驗倉中；設置旋轉主軸的沖蝕速率，試驗倉的溫度以及測試時間，使用電化學測量系統進行測試，根據不同沖蝕角度試樣的磨損情況，沖蝕形貌及程度評價復合材料沖刷磨損性能。本發明對于快速、系統、高通量評價復合材料沖蝕磨損性能，研究沖蝕磨損機制具有可觀的應用前景，快速提高耐沖蝕材料的研發速度，縮短研發周期。

基于信息融合的多元校正方法 1155     

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本發明涉及化學計量學技術領域，具體涉及一種基于信息融合的多元校正方法。一種基于信息融合的多元校正方法，包括第一部分：建立模型；第二部分：預測部分。本發明提出一種基于信息融合的多元校正方法，通過本方法提供的方法對信息進行融合后，預測均方根誤差明顯小于被融合的K個方法的預測均方根誤差；本發明所述融合方法能夠抵消各個算法的預測誤差，從而降低了總預測誤差。

井下智能加藥裝置 1126     

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本實用新型公開了一種井下智能加藥裝置，包括儲藥筒和控制筒，儲藥筒頂端內部通過密封圈設有隔離塞，儲藥筒底端的底板與控制筒頂端的頂板接觸，底板和頂板上連接有位于控制筒內的下液管，頂板下端的固定框內部從上到下依次安裝有電池組、控制板和電機，電池組通過控制板連接電機，下液管上安裝有與控制板連接的脈沖閥，電機的轉軸上連接有帶調節刷的磨輪式調節閥，控制筒底端漏液板上開設有多個液孔。本實用新型加藥裝置結構簡單，操作方便，能自動定時間添加定量的化學藥劑，從而保證加入井筒中化學藥劑的量是恒定的，化學藥劑的添加時間間隔相同，從而使井筒中的套管和油管不被腐蝕、結垢，延長油井的檢泵周期，達到增產目的。

硅酸鋰玻璃材料瓷化玻璃粉的應用及生產方法 960     

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本發明公開了一種硅酸鋰玻璃材料瓷化玻璃粉的應用及生產方法，包括以下步驟：S1：化學溶液配置，將對應的化學材料按照指定的步驟制作成指定的溶液；S2：配方，將指定配比的材料混合在一起；S3：熔制，對配好的粉料進行熔制；S4：研磨，對熔制的材料進行研磨，使得材料研磨到一定的程度；S5：測試，對生產好的超細瓷化粉料進行測試，保證超細瓷化粉料達到指定的標準。該硅酸鋰玻璃材料瓷化玻璃粉的應用及生產方法，并將化學溶液配置后靜置一定的時間，再以一定的配方，將指定配比的材料混合在一起，并進行熔制操作，對配好的粉料進行熔制，之后對材料進行研磨，當材料研磨到一定的程度，對材料進行測試，保證超細瓷化粉料達到指定的標準。

高阻尼形狀記憶合金及其制備方法 1166     

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本發明公布了一種高阻尼形狀記憶合金及其制備方法，該形狀記憶合金的化學式為Ni55-xCuxMn25Ga20(0≤x≤6)；按照Ni55-xCuxMn25Ga20的化學計量比，將Ni、Cu、Mn和Ga單質放入電弧熔煉爐中，并抽真空再充入氬氣在110A下熔煉得到鑄錠，并將鑄錠反復熔煉后經高溫固溶處理后淬火至室溫，得到高阻尼形狀記憶合金。對Ni55-xCuxMn25Ga20形狀記憶合金體系的阻尼測試表明，這些樣品具有高阻尼峰，阻尼峰值Q-1均大于0.03，最大峰值達到0.0771。阻尼峰的溫度范圍很寬，可達到200K-430K，完全覆蓋環境溫區，且阻尼峰不隨頻率變化、穩定性高，具有實際應用價值。

Li₄Mn₅O₁₂納米片材料的制備方法及使用方法 1184     

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本發明涉及一種Li₄Mn₅O₁₂納米片材料的制備方法及使用方法，用以解決現有氧化錳基材料作為超級電容器電極材料性能差的技術問題。技術方案是將長有Mn₃O₄納米片的碳布置于2M Li₂SO₄電解質中，在三電極體系下進行電化學氧化反應，在碳布上生成Li₄Mn₅O₁₂納米片。以Li₄Mn₅O₁₂納米片電極作為正極，商用活性炭作為負極，制備了非對稱膺電容器。在2M Li₂SO₄電解質中進行電化學性能測試，該非對稱膺電容器的電壓窗口高達2.2V,在功率密度為366.7W kg^?1時能量密度高達97.1Wh kg^?1，在200mV s^?1掃描速率下，12000次循環的比電容保持率為97.5％。