本發明屬于功能納米復合界面材料制備領域,特別涉及一種類項鏈狀MoS2/SnO2/CNF多功能復合界面材料的制備方法。本發明包括原位形核復合制備MoS2/SnO2/CNF(二硫化鉬/二氧化錫/碳纖維)功能材料的步驟。以丙酮為例,證明了該納米復合材料對丙酮氣體具有良好的響應性。該納米復合材料同時具備良好的潤滑減摩穩定性能,對PAO4基礎油的潤滑減摩性能提升非常顯著,對5W30商用潤滑油在負荷由100N增加至250N時,摩擦系數亦能明顯降低。本發明技術方案制備原料易得,工藝簡單,成本低廉,環境友好,適合大批量制備。既適用于氣體探測、潤滑減摩領域,同時也適用于兩者交叉綜合的潤滑工況失效的分析預警。
本發明屬于功能材料領域,具體涉及一種高衍射效率、低驅動電壓的全息聚合物分散液晶電光功能材料及其制備方法。該全息聚合物分散液晶包括25~78.8份的可光聚合單體、0.2~5份的光引發劑、20~70份的液晶以及0.05~2份的熱阻聚劑,其中可光聚合單體包括硫醇單體和烯烴單體,硫醇單體和烯烴單體中至少有一個為硅基單體,通過在制備全息聚合物分散液晶的配方中引入巰基或雙鍵硅基單體,硅基單體的引入會顯著降低液晶微滴的尺寸,減小光散射,且含硅聚合物表面能低,對液晶的錨定力降低,導致器件驅動電壓降低,從而獲得一種高衍射效率、低驅動電壓的全息聚合物分散液晶。
本發明公開了一種可注射-多孔-載藥的聚甲基丙烯酸甲酯基復合支架骨移植材料及其制備方法,屬于有機功能材料制備領域。本發明的聚甲基丙烯酸甲酯基復合支架骨移植材料采用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作為提供機械支撐的支架,殼聚糖基溫敏凝膠作為成孔劑及骨引導材料和藥物的載體,兩者相互混合可構成新型的可注射的多孔三維結構的骨水泥復合物。此支架骨移植材料的制備方法簡單,反應溫度適宜,生物相容性好,機械特性匹配,具有良好的生物礦化功能和相應的抗菌、抗炎或抗腫瘤等能力,在未來的骨組織重建的臨床應用方面有著廣闊的前景。
一種環保型無鉛鋁漿及其制備方法,其組分包括:抗氧化超細鋁合金微粉、硅鋇硼酸鹽復合玻璃料和復合有機載體。其優點是:本發明制備的無鉛鋁漿為無鉛、鎘、汞、六價鉻等有害物質的環保型電子漿料,作為功能材料,完全取代了有鉛鋁漿,性能優異、穩定可靠,歐姆接觸性好,燒結溫度寬,方阻低,耐水煮,耐高壓,老化壽命長,對貴金屬也有良好的取代性。
本發明涉及一種有序介孔氧化硅單塊的制備方法。一種光學透明的有序介孔氧化硅單塊的制備方法,其特征是步驟如下:1).選取物料:按質量比為:非離子型表面活性劑∶鹽酸∶正硅酸甲酯=0.5~2∶1∶1~4,其中,鹽酸的pH=0.5~2;2).將非離子型表面活性劑、正硅酸甲酯、鹽酸溶液混和,攪拌均勻;3).抽真空5~20分鐘得到具有溶致液晶特征的溶膠;4).將溶膠置于水熱釜中凝膠后,用去離子水或者酸、堿或鹽溶液在60~120℃水熱處理凝膠12~72h,并用乙醇或異丙醇作為萃取劑萃取除去表面活性劑;5).最后在40~110℃下加熱干燥10~48h后得到光學透明的有序介孔氧化硅單塊。本發明加工周期短、程序簡單、重復性好、且不需要特殊的設備。制備的介孔氧化硅單塊可望用于催化、分離、特別是光學功能材料等領域。
本發明提供了一種具有式(Ⅰ)結構的噻吩稠合的2,1,3-苯并二唑衍生物及其在兩側橋連噻吩后所形成的具有式(Ⅱ)結構的聚合物光電功能材料。本發明的新型受體所形成的聚合物均具有良好的溶解性,并且具有窄的帶隙,是一種優良的光電功能材料,可應用于有機半導體光電領域如有機太陽能電池及場效應晶體管領域。
本發明涉及納米功能材料與電加熱技術領域,具體的是涉及一種納米復相高溫陶瓷材料和膜材料。其組分以及組分的重量百分含量為主晶相60~80%,納米級氫氧化釔與氫氧化鋁混合物粉體20~40%,或者其組分包括有主晶相、納米級氫氧化釔與氫氧化鋁混合物粉體、粘結相和有機溶劑,所述的粘結相為亞微米級無鉛玻璃粉體,由無鉛玻璃粉體經高能球磨設備碾磨而成,所述的主晶相是采用高能球磨設備制成的亞微米級粉體硅。本發明的納米復相高溫材料具有以下效果:發熱溫度高;原材料不含鉛、汞、鎘、六價鉻、聚溴二苯醚、苯等有毒物質,無環境污染,屬環保型材料;高紅外輻射能及高電-熱輻射轉換效率;耐熱沖擊性能優良。
本實用新型提供一種ESD全屏蔽功能箔及ESD全屏蔽功能箔電路板,本實用新型的ESD全屏蔽功能箔包括功能材料層,在功能材料層的上金屬層刻蝕多行、多列條形金屬塊構成條形金屬塊陣列層;下金屬層刻蝕成用于接地的金屬地線,金屬地線由平行的等間隔接地線A、B、C、D…和連接A、B、C、D…的M線,等間隔接地線A、B、C、D…位于條形金屬塊陣列的橫向間隔條處,且與各自相對應的條形金屬塊的一端有重疊,使每一行條形金屬塊都與地線有重疊,重疊處形成靜電脈沖吸收隧道。在PCB板任何一層夾層中放置ESD全屏蔽功能箔層,構建瞬間電能量釋放網絡,使電路板上的元器件對瞬間高壓電脈沖能量產生屏蔽效應。
激光燒結制備β-FeSi2熱電材料的方法,屬于功能材料領域,特別涉及熱電材料的制備,以有效消除金屬相,改善微觀組織結構、降低熱導率、提高熱電材料品質。本發明步驟為:(1)將鐵粉和硅粉球磨制成微米級均勻硅鐵混合粉末;(2)機械冷壓或熱壓,制備出硅鐵混合粉末塊體;(3)使用激光束進行激光燒結,(4)退火處理,得到β-FeSi2塊體熱電材料。本發明裝置包括CO2激光器、光束均勻系統和真空燒結室,光束均勻系統由轉折鏡、直角屋脊鏡、第一凹面反射鏡和第二凹面反射鏡組成;真空燒結室內設置石墨坩堝、襯底座和底座電機,并配置有抽真空系統和充氣閥。本發明溫度易控,燒結效率高,無污染、少公害;能制備出優良的半導體及β-FeSi2熱電材料。
本發明屬于信息功能材料技術領域,具體涉及一種BiFeO3-Bi0.5Na0.5TiO3基多鐵性固溶體陶瓷及其制備方法,包括如下步驟:將硝酸鉍和硝酸鐵加入檸檬酸溶液中溶解形成BiFeO3透明溶液,將鈦酸丁酯、硝酸鉍和硝酸鈉加入到檸檬酸溶液中溶解形成Bi0.5Na0.5TiO3透明溶液,將BiFeO3溶液與Bi0.5Na0.5TiO3溶液按一定摩爾比混合,然后用氨水調節pH值為7~7.5,混合溶液通過陳化,除水分,干燥,形成黑色干凝膠;將干凝膠研磨,熱處理排除有機物得到前驅粉體;將前驅粉體研磨、壓片燒結,即得到本發明的BiFeO3-Bi0.5Na0.5TiO3基固溶體陶瓷。該固溶體陶瓷具備結構單相、低漏電流和室溫鐵電/鐵磁共存等特性,在新興的自旋閥器件、磁電存儲器、磁電傳感器和微波共振器件制造方面具有廣泛的應用前景。?
本發明是一種類球形多孔銀粉的工業化制備方法,具體是:先將碳酸銀原料溶于氨水溶液中,充分混勻,配制成5~25WT.%的銀銨溶液,再將所配制的銀銨溶液導入噴霧干燥設備進行噴霧干燥,獲得類球形多孔銀粉的前驅體粉末,然后將所獲得的前驅體粉末進行煅燒處理,再經降溫到室溫時取出,即得到類球形多孔銀粉。本發明因其工藝簡捷、易控制、投資成本低,適合于工業化規模生產,可在制備催化劑材料、電子陶瓷材料、防靜電材料、低溫超導材料、電子漿料、生物傳感器材料、無機抗菌劑或除臭及吸收部分紫外線的功能材料中有廣泛的應用;所制備的類球形多孔銀粉,具有大量微米級以上相互溝聯的孔道、比表面積高和活性高,并且結晶度高,產率也高。
本實用新型公開一種多層瞬變高壓脈沖能量吸收雙對稱矩陣板和電路板;它包括基本功能箔,所述基本功能箔由中間電壓誘變阻的功能材料層和分別附著的功能材料層上、下表面的上金屬箔層和下金屬箔層組成,所述上金屬箔層和下金屬箔層的金屬箔均刻蝕成的多行、多列的條形金屬塊構成的條形金屬塊陣列,使第一矩陣層上的條形金屬塊一端與對應第二矩陣層上的條形金屬塊另一端部分重疊;PCB板矩陣板和普通電路板;采用該矩陣板制造瞬變脈沖能量全吸收PCB板,可極大地簡化生產工藝,保障產品的成品率。
本發明公開了一種室溫多鐵性BiFeO3-SrTiO3固溶體陶瓷的制備方法,屬于信息功能材料技術領域。利用本方法制備得到的BiFeO3-SrTiO3陶瓷具備結構單相、低漏電流和室溫鐵電/鐵磁共存等特性。
零件或模具的無模熔融層積制造方法,屬于無模生長型制造方法,解決現有方法在無支撐、無模熔積成形過程中熔融材料下落、流淌、坍塌問題。本發明包括下述步驟:(1)對零件或模具的三維CAD模型進行分層切片處理;(2)計算機根據分層切片數據和各層切片尺寸和形狀的特點生成各層成形所需的數控代碼;(3)采用數控的氣體保護焊弧或激光束,將熔融材料在基板上按照各層數控代碼逐層熔積成形,直至達到零件或模具的尺寸和表面要求;同時,通過電磁裝置產生作用于熔池中熔融材料的電磁場。采用本發明可以快速、低成本、高質量地獲得金屬、金屬間化合物、金屬陶瓷、陶瓷及其梯度功能材料的零件或模具。
本發明提供的一種微米級多孔銀管粉末的工業化制備方法,該方法是:先經過噴霧熱解制成銀與氧化鎂或氧化銅的復合前驅的粉末,再將該粉末快速通過噴涂火焰高溫槍口,直接進入冷卻循環水池內,浮在水面的即為前驅體管組成的粉末,將其過篩、真空干燥后加入到無水乙醇中分散,再滴入氯化銨或硫酸銨溶液,然后抽濾,并經過無水乙醇的洗滌、真空干燥后,得到納米銀顆粒構成的微米級多孔銀管粉末。該方法因其工藝簡捷、易控制、收率高、沒有污染、投資成本低,適合于工業化規模生產,并且在催化劑材料、電子陶瓷材料、防靜電材料、低溫超導材料、電子漿料、生物傳感器材料、無機抗菌劑、除臭及吸收部分紫外線的功能材料等領域有廣泛的應用前景。
本發明涉及一種復合隔離膜,其是通過在隔離膜基材單面或雙面涂布功能材料涂層制成的薄膜;所述功能材料涂層的原料包括質量比為3?4:1的碳化硅粉末和三氧化二鋁粉末;所述碳化硅粉末和三氧化二鋁粉末的平均粒徑均為0.1?0.5μm,且三氧化二鋁的孔隙率為50%?75%。本發明還涉及所述復合隔離膜的制備方法。本發明所制得的復合隔離膜在孔隙率、機械強度及耐高溫性能等方面有顯著的提升,其中,厚度為5?20μm,孔隙率為44?53%,破膜溫度與閉孔溫度的差值為125?155℃,熱收縮率為0.1?0.2%,從而大幅度提高電池的安全性和可靠性。
本發明提供一種ESD全屏蔽功能箔、ESD全屏蔽功能箔電路板及制造方法,本發明的核心是ESD全屏蔽功能箔,它包括功能材料層,在功能材料層的上金屬層刻蝕多行、多列條形金屬塊構成條形金屬塊陣列層;下金屬層刻蝕成用于接地的金屬地線,金屬地線由平行的等間隔接地線A、B、C、D…和連接A、B、C、D…的M線,等間隔接地線A、B、C、D…位于條形金屬塊陣列的橫向間隔條處,且與各自相對應的條形金屬塊的一端有重疊,使每一行條形金屬塊都與地線有重疊,重疊處形成靜電脈沖吸收隧道。在PCB板任何一層夾層中放置ESD全屏蔽功能箔層,構建瞬間電能量釋放網絡,使電路板上的元器件對瞬間高壓電脈沖能量產生屏蔽效應。
本申請涉及一種早強高抗滲襯砌混凝土及其制備方法,該早強高抗滲襯砌混凝土由水泥、粉煤灰微珠、機制砂、碎石、抗滲功能材料、早強劑、聚羧酸類高效減水劑、阻泥劑和水制備而成。本申請通過對廢棄石灰石粉及高嶺土進行復合改性,制備出的抗滲功能材料可以提高襯砌抗滲性以避免鋼筋網銹蝕,且石灰石粉替代部分水泥后可降低混凝土的水化溫升,由于本申請采用了高活性的粉煤灰微珠,其滾珠效應和微集料效應,增強了混凝土的工作性和密實性,改善其均質性。本申請可采用高含泥量機制砂代替天然河砂,制備的早強高抗滲襯砌混凝土的工作性能、力學性能、體積穩定性能及抗裂性能優異。
本發明提供一種具有吸收瞬間高壓電脈沖能量的功能電路板芯板及制造方法,該功能芯板包括絕緣層及絕緣層上下的金屬基板組成的基本芯板,在基本芯板一面的金屬基板上附著的一層電壓變阻功能材料層,電壓變阻功能材料層上布置滿用于吸收瞬間高壓電脈沖能量的間隔排列的金屬小方塊層。金屬小方塊層包括長寬各為0.8mm的金屬小方塊,多個金屬小方塊由橫向間隔、豎向間隔分隔,相互絕緣排列成金屬小方塊陣列,橫向間隔、豎向間隔為0.08mm。這些金屬小方塊形成電能量吸收陣列,有利于應用中構建瞬間電能量吸收網絡。本發明的瞬間高壓電脈沖能量吸收芯板適合設置在一切多層電路板中,使電路板上的元器件對瞬間高壓電脈沖能量產生屏蔽效應。
本發明涉及一種具有預制結構的鍍膜和粉體及其制備方法。該鍍膜的制備方法包括:提供基材和具有微納結構的微納紋理模板;在基材上施加轉印UV膠;通過UV轉印將微納紋理模板施加在轉印UV膠上,再通過UV固化制備過渡膠層,移除微納紋理模板,制備中間體;采用功能材料在具有微納結構的基材的表面上仿形沉積制備過渡分離層,或直接采用功能材料制作微納紋理中間體過渡分離層,再采用鍍層材料在過渡分離層上仿形沉積制備鍍層;或采用鍍層材料在具有微納結構的基材的表面上仿形沉積制備鍍層。該方法具有操作簡易、微納結構形貌可控、低成本、長效、可大批量應用的優點,具有廣闊的應用前景。
本發明公開了一種基于殼聚糖功能化銅材料制備β?硼酰胺的方法,具體包括以下步驟:1)將α?丙烯酰胺化合物I、聯硼酸頻那醇酯、殼聚糖席夫堿銅功能材料加入水中,室溫下混合攪拌反應;2)反應結束后,進行過濾,分離濾液提純得到β?硼酰胺化合物II,將沉淀物洗滌干燥后回收催化材料,并進行下一次循環使用。本發明中的殼聚糖席夫堿銅功能材料,可應用于催化反應,并得到多種類型的β?硼酰胺化合物,此反應在室溫下、純水中進行、條件溫和、底物適用范圍廣、效率高、反應組分簡便;此催化劑具有活性高、用量低、可回收等優點;并且此催化材料可以降低成本,綠色環保,為工業上生產β?硼酰胺化合物提供一種新方法。
本發明公開一種多層瞬變高壓脈沖能量吸收雙對稱矩陣板和電路板及其制造方法;它包括基本功能箔,所述基本功能箔由中間電壓誘變阻的功能材料層和分別附著的功能材料層上、下表面的上金屬箔層和下金屬箔層組成,所述上金屬箔層和下金屬箔層的金屬箔均刻蝕成的多行、多列的條形金屬塊構成的條形金屬塊陣列,使第一矩陣層上的條形金屬塊一端與對應第二矩陣層上的條形金屬塊另一端部分重疊;PCB板矩陣板和普通電路板;采用該矩陣板制造瞬變脈沖能量全吸收PCB板,可極大地簡化生產工藝,保障產品的成品率。
本發明公開了一種基于AgInSbTe硫系化合物的憶阻器,該憶阻器包括上電極層、下電極層以及位于上下電極層之間的功能材料層,其中所述功能材料層由譬如Ag5In5Sb60Te30、Ag5.5In6.5Sb59Te29、Ag7In3Sb60Te30、Ag3In4Sb76Te17、Ag12.4In3.8Sb55.2Te28.6、Ag3.4In3.7Sb76.4Te16.5、AgSbTe2和AgInTe等分子式結構的硫系合金化合物制成。本發明還公開了相應的制備方法。通過本發明,能夠以低成本、便于操控的方式來制備憶阻器元件,而且所制得的產品可提供非易失性的中間阻態,并能實現對電阻的多級連續可調。
本發明公開了一種具備多阻態特性的二階憶阻器,該憶阻器的器件單元包括上電極、下電極以及位于上下電極之間的功能材料層,其中所述功能材料層由分子式結構為Ge2Sb2Te5、Sb2Te3或GeTe的硫系化合物制成,所述上、下電極中的至少一個由Ag或Cu制成。本發明還公開了相應的調制方法。通過本發明,能夠獲得具有多個內部狀態變量以產生多重憶阻效應的二階憶阻器,同時具備結構簡單、尺寸可至納米級和易于制備等優點。
公開一種顯示面板,包括陣列基板、設于陣列基板上的發光層、設于發光層上的彩色濾光層以及設于彩色濾光層上的功能材料層,發光層包括顏色各異的第一子像素、第二子像素以及第三子像素,彩色濾光層包括與第一子像素對應的第一色阻、與第二子像素對應的第二色阻、與第三子像素對應的第三色阻,以及將第一色阻、第二色阻、第三色阻間隔開的黑矩陣,彩色濾光層與功能材料層之間的折射率差值大于或等于?1且小于或等于0.5。本發明實施例的彩色濾光層不僅具有良好的光學參數,能夠降低顯示面板的反射率,還能直接形成于具有發光層的陣列基板上,能夠減薄顯示面板厚度和不對發光層造成損傷。
本發明屬于信息存儲器件領域,提供了一種短時與長時存儲器件及存儲方法;該存儲器件包括第一電極層、功能材料層和第二電極層;第一電極層的材料為惰性導電金屬,第二電極層的材料為活潑導電金屬,功能材料層的材料為硫系化合物;在單個第一寫信號或多個具有第一間隔時間的第一寫脈沖作用下,存儲器件從高阻態轉換到易失性低阻態,存儲信息能維持一段較短時間;在單個第二寫脈沖或多個具有第二間隔時間的第一寫脈沖作用下,存儲器件從高阻態或易失性低阻態切換到非易失性低阻態,存儲信息能維持很長一段時間??梢詫崿F生物短時記憶和長時記憶的功能模擬,將重要數據長期穩定存儲,將不重要數據主動遺忘刪除,從功能上提高存儲效率。
本發明公開了一種基于光電耦合憶阻器的人工突觸器件及其調制方法,該人工突觸器件包括上電極、下電極以及位于上、下電極之間的功能材料層,上電極、功能層材料及下電極共同形成三明治結構;其中,功能材料層由具有光電導效應的材料制成,下電極為透明導電電極;電信號通過上電極、下電極輸入,光信號則通過透明導電電極輸入;本發明提供的這種人工突觸器件在電信號之外引入光作為另一端調控信號,將二端人工突觸器件的調控端擴至三端;添加的這一端使得人工突觸器件可在外界光學激勵信號下發生阻值變化,通過對光學激勵信號強度、頻率及光脈沖時間的選擇調控,能夠將該人工突觸器件配置到相應的多個阻態,相應實現多種突觸可塑性功能。
本實用新型涉及抗靜電數據線頭技術領域,尤其涉及一種全抗靜電數據線頭的電路板,全抗靜電電路板的電路板A面和電路板B面中設有用于信號傳輸和用于安裝電子元件的附銅線路,每一條非接地附銅線上都預留有用于釋放瞬變脈沖能量的銅盤;所述銅盤表面附有一層功能材料構成壁壘,功能材料表面鍍有一層金屬層,金屬層的一邊延伸至最近的接地線,形成能量釋放通道。本實用新型設計有效面積,用以構建能量釋放電極S和能量吸收電極S’,并利用功能材料的涂覆及S、S’的位置,他們都不占用電路板表面空間的優勢完成能量泄放通道的建立??稍跇O其狹小的面積和空間下實現高保真數據傳輸和抗靜電功能,同時降低抗靜電成本。
本實用新型屬于電子制造技術領域,具體涉及一種瞬變高壓脈沖能量吸收箔,包括導體基礎層,所述導體基礎層上設有導體陣列層,導體陣列層與導體基礎層之間電連接,所述導體陣列層上鋪設有功能材料層,所述功能材料層上設有用于刻蝕電路板附銅線的導體面層,所述功能材料層為高分子復合納米電壓變阻材料。本實用新型用于解決現有技術中瞬變高壓脈沖能量吸收板制作工藝要求高的問題,提供了一種制作簡單、成本低廉的解決方案。
本發明公開一種三維共形電子部組件的增減材一體化成型系統與方法,屬于電子增材制造技術領域。其包括集成為整體的多個子系統,其中,結構材料增材制造子系統用于支撐結構體或者封裝結構體的3D打印,電子增材制造子系統用于電子功能材料的共形打印,減材機加工子系統用于對增材成型材料機械加工以去除多余部分或提高打印精度,熱管理子系統用于為各加工區間提供輔助加熱或/和冷卻,機構運動控制子系統用于增材制造過程和減材機加工過程的高精度多軸聯動、高精度對位和裝夾。本發明還公開采用成型系統成型的方法。本發明的一體化成型系統和方法能夠兼顧電子功能材料與支撐結構/封裝功能材料的一次性、高精度、增減材一體化成型。
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