本發明公開了一種具備多阻態特性的二階憶阻器,該憶阻器的器件單元包括上電極、下電極以及位于上下電極之間的功能材料層,其中所述功能材料層由分子式結構為Ge2Sb2Te5、Sb2Te3或GeTe的硫系化合物制成,所述上、下電極中的至少一個由Ag或Cu制成。本發明還公開了相應的調制方法。通過本發明,能夠獲得具有多個內部狀態變量以產生多重憶阻效應的二階憶阻器,同時具備結構簡單、尺寸可至納米級和易于制備等優點。
聲明:
“具備多阻態特性的二階憶阻器及其調制方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)