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本發明公開了一種酸蝕內藏臺面的硅整流圓芯片生產工藝，屬于大功率半導體芯片的技術領域，以解決人工磨角的控制力差異導致芯片的質量參差不齊，且人工手持硅片，費時費力，工作效率低下等問題。該生產工藝包括硅片切割清洗、裝模燒結、酸洗腐蝕、涂保護膠、室溫硫化、高溫老化和檢測包裝，通過腐蝕臺面造型代替機械磨角，使磨角的角度達到最優的45?50°，提高芯片性能，并且酸腐蝕不會在其內部產生應力和熱損傷，不易產生正反兩面的崩邊、微損傷、裂痕等問題，而且省時省力，提高工作效率，其次，通過在混合酸溶液中添加含緩釋劑的熱敏微膠囊，抑制反應速率，并在下電極鉬片表面形成鈍化層，解決了腐蝕均勻性以及鉬片腐蝕損傷的問題。
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本發明公開了一種壓接式二極管管芯及制作方法，包括以下步驟：1)制備二極管擴散片，2)腐蝕電壓槽，3)電壓槽淀積多晶硅膜或氮化硅膜，4)電壓槽玻璃鈍化，5)刻蝕去除不需要多晶硅膜或氮化硅保護的大部分陰極面和陽極面區域的鈍化膜，6)芯片與鉬片的焊接，7)陰極面蒸鋁，8)陰極面鋁層選擇腐蝕，9)鋁層微合金。進一步10)管芯陽極面鉬片單面多層金屬化，11)電壓槽涂覆第三保護層。焊接前對芯片測試，剔除掉不合格芯片，避免了鉬片等浪費，不合格芯片鉬片經過處理后再次利用。電壓槽采用三層保護，降低管芯在高溫動態下測試的漏電流；鉬片設置鈦鎳銀多層金屬保護防止氧化，降低了熱阻和電阻，減少功耗。
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本發明公開了一種壓接式晶閘管管芯及制作方法，包括以下步驟：1)制備晶閘管擴散片，2)腐蝕電壓槽，3)電壓槽淀積多晶硅膜或氮化硅膜，4)電壓槽玻璃鈍化，5)刻蝕去除不需要多晶硅膜或氮化硅保護的大部分陰極面和陽極面區域的鈍化膜，6)芯片與鉬片的焊接，7)陰極面蒸鋁，8)陰極面鋁層選擇腐蝕，9)鋁層微合金。進一步10)管芯陽極面鉬片單面多層金屬化，11)電壓槽涂覆第三保護層。焊接前對芯片測試，剔除掉不合格芯片，避免了鉬片等浪費，不合格芯片鉬片經過處理后再次利用。電壓槽采用三層保護，降低管芯在高溫動態下測試的漏電流；鉬片鈦鎳銀多層金屬保護防止氧化，降低了熱阻和電阻，減少功耗。
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本發明公開了一種汽車用雪崩二極管的制造方法，包括如下步驟：步驟(1)裝填與燒結、步驟(2)堿洗與清洗、步驟(3)烘干、步驟(4)打膠、步驟(5)膠高溫固化、步驟(6)一次測試、步驟(7)灌封、步驟(8)灌封膠固化、步驟(9)二次測試、步驟(10)、將經二次測試判定合格的產品進行激光打標。本發明采用一次焊接成型工藝的雪崩二極管具備良好的高溫特性、苛刻的熱疲勞能力、高的反向浪涌能力，有效解決了現有汽車用雪崩二極管的制備方法不夠合理，造成的雪崩二極管各方面的性能較差，同時采用堿洗工藝有效解決了環保污水后期處理工序繁瑣以及費用成本較高的問題。
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本發明公開了一種焊接式硅芯片高絕緣臺面鈍化保護工藝，包括以下步驟：硅單晶片切割、單晶片磨角、真空燒結、酸腐蝕、涂敷聚酰亞胺、真空排泡、階梯烘烤、清洗形成鈍化保護芯片、涂覆GD?406藍色硅橡膠、真空排泡、室溫硫化化、高溫固化、檢測、真空包裝出廠。本發明通過對傳統芯片制造工藝的改進，通過PI膠的應用對芯片臺面進行鈍化和雙層致密保護，并可有效地俘獲PN結臺面可移動電荷，降低了芯片的IRRM，提高了芯片抗擊穿能力和綜合電性能，解決了粘附性、熱膨脹、機械應力及氣孔等技術問題，從而得到一種保護致密、耐高壓、耐溫范圍廣、高性價比、高可靠性的高壓功率半導體模塊芯片，有效提高產品的可靠性和良品率，值得推廣和使用。
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本發明涉及一種高可靠性高壓功率半導體模塊芯片的制造工藝，整個制造工藝流程包括：磷擴散、硼擴散、蒸鍍鈦鎳銀合金、線切割、磨角、真空燒結、酸腐蝕、雙層膠體聯合保護、室溫硫化、高溫固化、檢測包裝。其中雙層膠體聯合保護如圖所示，是先將聚酰亞胺(PI)膠(圖中41)均勻涂敷于芯片臺面，形成致密保護層，再使用自主研發的自動涂膠工裝夾具，批量涂敷深藍色硅橡膠(圖中42)。本發明結合了GPP方片和OJ圓片兩種工藝的優點，對現有功率半導體模塊芯片的制造工藝進行改進，有效阻止電子遷移，減小芯片高常溫漏電流，致密結構極有利于后續的模塊封裝和儲存，有效提高產品的可靠性和良品率。
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一種普通電力整流二極管芯片的整套生產工藝流程，從開始到結束，整個生產工藝流程包括：線切割，清洗，真空燒結，真空蒸鍍及真空微合金，黑膠保護，磨角，酸腐蝕，膠體保護，室溫硫化，高溫固化，檢測包裝。其中清洗以后的單晶硅片，按照以下多層結構，從下至上依次為：鉬片、鋁箔、單晶硅片，在燒結爐中進行真空燒結，后將鋁膜蒸鍍到整個單晶硅片上；所述磨角采用多角度搭配研磨工藝。本發明的優點在于：制造出一種新結構的芯片，且突破了傳統的電力整流管芯片臺面單一角度的臺面造型模式。多角度搭配研磨工藝新應用技術的出現，使得芯片臺面具有更加完美的多角度臺面造型。有效提高了電力整流管芯片承載更高工作電壓的能力。
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本發明公開了一種環保螺栓型電力電子整流芯片成型工藝，包括以下步驟：（1）、準備多個錫銅合金焊片和鉛錫合金焊片，錫銅合金焊片中錫的重量百分比為96%~98%，銅的重量百分比為4%~2%；（2）、按順序向石墨燒結模具?？字醒b入錫銅合金焊片、鉛錫合金焊片、陰極鉬片、硅質整流芯片、陽極鉬片；（3）、將多個石墨燒結模具送入臥式真空燒結爐的真空室中；（4）、利用臥式真空燒結爐燒結成型。本發明用錫銅(97:3)合金取代鉛錫(95:5)合金材料作整流芯片產品的陰、陽極表面助焊層，大幅提升了產品的環保指數，又擴大了產品的應用市場，同時大幅提高了產品的生產效率，還避免了傳統的“搪鉛”工藝有礙健康現象的發生。
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本發明提供一種橋式整流橋的真空焊接方法，包括下述步驟：將已放進上下模之間的待焊接的整流橋放進三工位真空燒結爐；保證三工位真空燒結爐的真空棒一直工作，真空棒一直工作也就是真空棒反復在三工位真空燒結爐中做往返活塞運動，攪動三工位真空燒結爐內部，使熱傳導；使三工位真空燒結爐內的溫度保持在3500至4000之間的時間為28min到31min之間；完成焊接，取出，打開上模常溫冷卻。本發明的優點在于：不需要氮氣保護，因此，焊接時沒有廢氣排放，環保安全；保證焊接點焊接牢靠，并且焊面氣泡減少98%；焊接效率高；用電節約50%以上。
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本實用新型公開了一種真空燒結爐用運輸上料裝置，包括箱體底座和密封罩，所述箱體底座的上端外表面中部位置固定安裝有加熱箱，所述密封罩活動安裝在箱體底座的上端外表面靠近加熱箱的一側，所述密封罩的一端中部位置固定安裝有送料柱，且送料柱的側邊外表面固定安裝有限位卡環，所述送料柱的內側活動套接有置物架，所述置物架的內側中部位置活動安裝有收納板，所述置物架和收納板之間設置有兩組彈性卡柱，所述置物架的側邊外表面開設有插槽，所述密封罩的下端外表面固定安裝有推拉板；利用推拉板和送料柱的設置，使得該真空燒結爐用運輸上料裝置具有分體式送料結構，令其上料操作更加便捷。
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2025年07月16日 ~ 18日 
