本發明涉及廢水處理領域，具體涉及一種用于處理對含砷和丁基黃藥復合污染廢水的活性污泥及其制備方法，制備方法包括：步驟1，取鉛鋅尾礦附近的土壤作為原始樣本，得到初始污泥；步驟2，配制用于培養污泥的培養液；步驟3，向厭氧瓶中添加培養液，再將初始污泥放入瓶中；步驟4，向瓶中再加入砷酸鈉和丁基黃藥，攪拌均勻后排出氧氣，振蕩培養，得到馴化培養的厭氧活性污泥。本發明通過特定地點的采集和馴化步驟，使培育出的活性污泥具有獨特的生物特性，不僅能在不另外添加有機碳源的條件下進行砷的還原

本發明公開了一種協同處理銅鎳廢渣和含砷廢料的方法，屬于冶金行業固危廢資源化處理技術領域。本發明的處理方法包括：將銅鎳廢渣、含砷廢料、還原劑、硫化劑和溶劑混合后還原硫化熔煉，經冷卻后分層得到低密度的冶煉渣、中密度的冰銅和高密度的含鎳合金。該方法工藝流程短，可直接用于分離銅鎳，實現了銅鎳廢渣和含砷廢料的減量化、無害化和資源化。

本發明涉及選礦技術領域，具體涉及一種含砷硫化銅礦石的浮選方法，包括：首先，對原礦進行粗磨，采用“一次粗選、兩次掃選和兩次精選”的流程在低堿度下進行抑硫?銅砷混選，得到銅砷混合精礦和尾礦；然后，對銅砷混合精礦進行濃縮再磨?脫藥，通過調漿、組合抑制劑的耦合調控和捕收劑的捕收，采用“一次粗選、兩次掃選和兩次精選”的流程強化銅砷分離，從而實現含砷硫化銅礦石的高效分選。

本發明提供了一種光氧化處理硫化砷渣的方法，包括以下步驟：在硫化砷渣中加水調節初始硫化砷質量濃度2％?20%，調初始pH為3?6，加入二硫化碳萃取劑2~10%，控制光源從側面光照，邊攪拌邊爆氣，進行光照氧化浸出；浸出完之后分離有機相和水相，有機相通過冷卻析出單質硫，濾液通過加入鐵鹽和鈣鹽穩定化處理，穩定化后的壓濾液返回光氧化浸出系統，濾渣達到柔性填埋場的填埋標準。該方法簡單、不需要加藥劑氧化、不需要額外加催化劑來催化氧化，直接利用自然界無處不在的可見光氧化即可實現高砷渣的安全填埋處置

作為重要的半導體材料，砷化鎵屬于Ⅲ~Ⅴ族化合物半導體，由其制成的半絕緣高阻材料的電阻率比硅、鍺高3個數量級以上，可用來制作集成電路襯底。寬禁帶(1.4eV)、高電子遷移率[8500cm2/(V·s)]、能帶結構為直接帶隙的特點決定了其在微電子器件研制中的主要地位。但在砷化鎵芯片的生產過程中，研磨、清洗等工序會產生含砷廢水，而砷是劇毒物質，會對人體和環境造成傷害，因此需對含砷廢水進行處理，達標后排放或回用。