1.本發明屬于半導體激光器端面鍍膜技術領域，具體涉及一種半導體激光器芯片腔面的鍍膜方法。
背景技術：
2.為了提升半導體激光器芯片的使用壽命，提高產品的可靠性能力，需要對芯片的前后腔面進行鍍膜處理，實現對腔面的保護以及通過腔面不同膜層特性，實現對于激光器閾值的降低和功率的提升目的；尤其是隨著目前高速率芯片在摻雜時普遍采用ingaalas結構，al在空氣中極易氧化，解理形成的腔面受到氧化后極易形成氧化物缺陷，導致激光器在運行過程中容易在缺陷處形成熱量堆積，對腔面的膜層質量造成影響，增大了膜層失效風險，直接導致激光器性能不穩定，產品可靠性能力變差，直接影響產品使用壽命；同時，對于含al結構的芯片而言，其腔面膜系的結構，膜層的形貌好壞，以及其穩定的光學性能都是直接影響激光器芯片的重要因素，它可以讓芯片的性能可靠性更加穩定，耐沖擊更強，出光更加平穩，壽命更長。
3.因此有必要設計一種可以保護半導體激光器芯片腔面并提升其可靠性的鍍膜方法，以克服上述問題。
技術實現要素：
4.為了克服上述現有技術存在的不足，本發明的目的是提供一種半導體激光器芯片腔面的鍍膜方法，在芯片前后腔面采用鍍al層并進行部分氧化的膜系結構，利用al層良好的耐腐蝕和抗氧化性能，當它直接與腔面接觸時，能起到很好的保護作用，從而達到保護激光半導體腔面的效果，進而避免腔面因氧化造成的可靠性問題。
5.為實現上述目的，本發明的技術方案為一種半導體激光器芯片腔面的鍍膜方法，包括如下步驟：1）對待鍍膜的芯片進行bar條解理，夾條，并快速放進蒸發鍍膜設備內，抽真空；2）對芯片的出光腔面進行離子源預清洗處理；3）在芯片的出光腔面上鍍高增透膜系，所述高增透膜系至少包括依次鍍覆在所述出光腔面上的第一al層和第一alo
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層；具體是先鍍al層，然后利用離子源通入o2進行氧化處理；4）對芯片的背光腔面進行離子源預清洗處理；5）在芯片的背光腔面上鍍高反膜系，所述高反膜系至少包括依次鍍覆在所述背光腔面上的第二al層和第二alo
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層；具體是先鍍al層，然后利用離子源通入o2進行氧化處理。
6.進一步地，步驟3）和步驟5）中，先鍍的al層的厚度為7~9nm。
7.進一步地，步驟3）和步驟5）中，利用離子源通入o2進行氧化處理的時間為100s。
8.進一步地，步驟3）中，所述高增透膜系還包括依次鍍覆在所述第一
聲明：
“半導體激光器芯片腔面的鍍膜方法與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：湖北光安倫芯片有限公司
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2025年07月23日 ~ 26日 
