1.本發明屬于電阻漿料技術領域，特別涉及一種高溫電阻漿料及其制備方法與應用。
背景技術：
2.集成電路是21世紀現代電子技術發展的重要結晶，厚膜混合集成電路是集成電路的一個重要組成部分。電子漿料作為制造厚膜混合集成電路的基礎材料得迅速發展，廣泛應用于電子、航空航天等領域。厚膜電阻漿料是電子漿料的重要種類，根據厚膜電阻漿料的功能相成分主要分為金屬類和非金屬類：非金屬類功能相主要為石墨和炭黑，粘結相主要為有機樹脂，此類漿料制備的膜層高溫環境下易氧化，使用溫度一般不超過200℃；金屬類功能相主要為ag、pd、釕系等，ag是導電性最好的金屬材料，但ag
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具有遷移性，使用過程電阻不穩定，使厚膜元件的使用壽命大大降低；在ag電阻漿料中摻入pd制備的pd-ag電阻漿料可以有效抑制ag
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的遷移，但是pd-ag電阻漿料的工藝敏感度高，方阻覆蓋范圍小，工藝再現性差；釕系主要包括二氧化釕、釕酸鹽，具有工藝適應性好、阻值穩定性高等優點，但是釕系厚膜在溫度高于900℃條件下使用會發生復雜的反應，高溫阻值穩定性差。以上電阻漿料由于自身性能上的缺陷難以滿足在高溫方面的應用需求。因此，亟需研制阻值穩定的新型高溫電阻漿料。
3.此外，厚膜電阻漿料作為厚膜電阻的原材料，要求具有較寬的阻值范圍，用于滿足不同阻值厚膜電阻的需要。目前主要通過調控電阻漿料中導電相與玻璃相的比例實現厚膜電阻阻值的調控，此類方法配方固定后阻值即固定，如果要制備寬阻值范圍的厚膜電阻，則需要重新調整漿料配方，并經歷復雜的原料制備、混料、研磨、檢測等工序制備出系列化的電阻漿料，耗時長、成本高、儲存與使用不方便。
技術實現要素：
4.本發明的目的在于提供一種阻值可調節的高溫電阻漿料及其制備方法，克服背景技術中存在的不足與缺陷。
5.為實現上述目的，本發明提供了一種高溫電阻漿料，由以下質量分數的組分組成：電阻調控漿料a1～95％、電阻調控漿料b1～90％、玻璃漿料1～15％；所述電阻調控漿料a由質量分數為60～85％導電陶瓷粉和15～40％有機載體組成，所述電阻調控漿料b由以下質量分數原料組成：貴金屬導電相60～78.5％、bi2o
3-zno玻璃粘結相1.5～10％和有機載體15～30％，所述玻璃漿料由質量分數為70～85％玻璃相和15～30％有機載體組成。
6.優選的，上述高溫電阻漿料中，所述導電陶瓷粉
聲明：
“高溫電阻漿料及其制備方法與應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：中國人民解放軍國防科技大學
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2025年07月23日 ~ 26日 
