本發明屬于無線通訊與電子陶瓷材料技術領域,具體涉及一種低介電常數低溫共燒陶瓷材料及制備方法,具體為mg2al4si5o18-tio2-bbs體系低溫共燒陶瓷材料及其制備方法。背景技術:近年來,移動通訊、物聯網(iot)、微波通信、直播衛星電視(dbstv)、衛星廣播、藍牙、wifi、智能交通系統(its)和工業4.0等信息通信技術(ict)以爆炸性的方式迅速發展給我們的生活帶來了巨大的變化。特別是移動通信技術向著5g高頻化、集成化、高穩定性和小尺寸的方向發展,對在5g通信系統中作為諧振器、濾波器、介質天線、介質基板、介質導波回路等的微波陶瓷介質需求量增大和市場前景廣闊,5g技術發展使得開發高品質微波-毫米波微波介質陶瓷材料已經成為目前電子陶瓷材料領域中最活躍的一部分。為了滿足5g通訊技術對信號低延遲要求,科學家們正在尋找具有超低介電常數、高品質因數(以qf值衡量)與工作頻率穩定性好的新型微波陶瓷材料來抑制能量損失,降低信號傳輸延遲時間,保證器件在工作環境溫度穩定。本發明提供一種介電常數10以下有著較高的品質因數且溫度系數穩定的微波介質陶瓷,有助于豐富此類產品的需求。針對目前現有產品種類的不足和技術中存在的缺陷,解決現有技術中存在的缺陷,本發明專利提供一種mg2al4si5o18-tio2-bbs體系微波介質材料及其制備方法。技術實現要素:為解決上述問題,本發明的目的在于提供一種低介電常數低溫共燒陶瓷材料及制備方法,采用mg2al4si5o18-tio2-bbs體系微波介質陶瓷材料,該陶瓷材料介電常數在4.5~6.9左右,有著優良微波介電性能。為實現上述目的,本發明的技術方案為:一種低介電常數低溫共燒陶瓷材料,采用mg2al4si5o18-tio2-bbs體系微波陶瓷材料,其原料成分為mgo-al2o3-sio2-tio2-bbs,其中,bbs的化學式為bi2o3-b2o3-sio2;原料mgo-al2o3-sio2以1:1:2.5的化學計量比進行配比,在1400℃左右合成mg2al4si5o18微波介質陶瓷粉末;然后mg2al4si5o18與tio2以7:3的化學計量比進行配比,在1200℃左右合成0.7mg2al4si5o18-0.3tio2復合陶瓷粉;在此基礎上進一步加入低熔點玻璃粉bbs形成(100-x)(0.7mg2al4si5o18-0.3tio2)-xb
聲明:
“低介電常數低溫共燒陶瓷材料及制備方法與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)