本發明公開了一種熱擴散壓阻式MEMS壓力傳感器芯片級老化方法,包括以下步驟:1)光刻淀積了金屬的硅片,形成管芯電極及老化所需引線;2)為老化引線接電極,并將所述硅片整體放入老化設備中進行老化;3)老化完成后將所述老化引線刻蝕掉。本發明利用管芯在硅片上有規律分布的特點,通過巧妙的引線設計在硅片上一次完成所有管芯的互連,在老化時大圓片上所有的管芯都得到電老化,使早期失效管芯在終測時一并被剔除,從而使余下的管芯都具有很高的可靠性。相對于現在管芯在壓焊封裝后再進行老化篩選,簡化了老化方法,減少了所需使用的老化設備,大大地提高了老化的效率并大幅度降低了生產成本。
聲明:
“熱擴散壓阻式MEMS壓力傳感器芯片級老化方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)