本發明提供一種存儲單元組合規律的驗證方法,用于驗證存儲芯片存儲單元組合規律的正確性,它包括以下步驟:1.在待驗證的存儲芯片上標記待損傷位置;2.采用聚焦離子束在待損傷位置制作損傷凹口;3.采用測試機測試存儲芯片,標記測試機測試的存儲單元失效位置;4.去除存儲單元有源層表面的介質層和金屬連線層,確定步驟2制作的損傷凹口的存儲單元位置;5.比對步驟3測得的存儲單元失效位置與步驟4確定的損傷凹口的存儲單元位置進行存儲單元組合驗證。本發明存儲單元組合的驗證方法通過采用聚焦離子束制作損傷凹口和去除存儲單元有源層表面介質層和金屬連線層可有效解決傳統驗證方法存在的存儲芯片易整體失效和精確性低的問題。
聲明:
“存儲單元組合規律的驗證方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)