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            > 進行晶片水平的非箝位感性切換試驗的結構和方法

            進行晶片水平的非箝位感性切換試驗的結構和方法

            1157   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
            2023-03-19 09:01:43
            本發明涉及一種用于在由柵驅動器驅動的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)器件上進行非箝位感性試驗的電路。該電路包括用于測量隨著從柵驅動器輸入到MOSFET器件的脈沖寬度的增加而增加的非箝位感性試驗(UIS)電流的電流傳感電路,其中所述電流傳感電路被提供來在達到預定的UIS電流時截止所述柵驅動器。該試驗電路進一步包括連接到MOSFET器件的漏極,用于測量被用來在所述UIS試驗期間探測MOSFET失效的漏電壓變化的MOSFET失效探測電路。該試驗電路進一步包括用于切換施加到所述MOSFET器件的電源的開/關的第一開關和在MOSFET的源漏極之間連接的第二開關。另外,該試驗電路進一步包括用于接收來自MOSFET失效探測電路的MOSFET失效信號以及在UIS試驗下探測到UIS失效時控制第一和第二開關切斷施加到MOSFET器件的電源以防止探針損壞的定時和先合后開(MBB)電路。
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