本發明提供了一種背照式CMOS傳感器中取晶粒的方法和應用,涉及CMOS傳感器技術領域。該方法先將背照式CMOS傳感器進行混酸處理,再將得到的預處理晶??拷娐穼拥囊粋绕秸潭ㄔ诠杵?,對預處理晶粒遠離電路層的一側進行任選的一次研磨以除去可能殘留的封裝料,然后進行反應離子刻蝕和二次研磨以使電路層完整的暴露出來并保持一定的平整度,得到晶粒;其中,將預處理晶粒平整固定在硅片上,硅片的設置可為電路層提供支撐作用,使得在后續提取過程中不會出現電路層脫落或者分層等問題,從而實現晶粒的完整且完好的提取,為后續失效分析工作提供了基礎。本發明還提供了背照式CMOS傳感器的失效分析方法。
聲明:
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