本發明提出一種改善原子力納米探針導電性的方法,包括在導電物質上接觸有至少一根或多根被氧化的原子力納米探針;依次將每根被氧化的原子力納米探針和導電物質間施加電壓差,將被氧化的原子力納米探針的部分氧化物擊穿;重復前一步,直至改善原子力納米探針的導電性。本發明還提出一種改善原子力納米探針導電性的方法,包括在導電物質上接觸有至少兩根被氧化的原子力納米探針;依次將一根被氧化的原子力納米探針和剩余的每根被氧化的原子力納米探針間施加電壓差,將被氧化的原子力納米探針的部分氧化物擊穿;重復前一步,直至改善原子力納米探針的導電性,用以保證進行失效分析時樣品測試的準確性,以及延長原子力納米探針的使用壽命。
聲明:
“改善原子力納米探針導電性的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)