本發明公開了一種DRAM的修復方法,包括以下步驟:1)DRAM芯片測試項分類,分為SA缺陷測試項和DRAM的其它測試項;2)對SA缺陷測試項和DRAM的其它測試項產生的失效地址分別存儲;3)SA缺陷測試項的失效地址分析并進行修復;4)將步驟2)中DRAM的其它測試項產生的失效地址和按照步驟3)處理后的SA缺陷測試的失效地址進行合并;5)對合并后的失效地址進行讀??;6)對讀取的失效地址進行修復;6)最后產生DRAM修復方案。通過分析SA缺陷測試項的失效地址的處理及修復,將開放式位線DRAM結構中有潛在缺陷的SA同時替換,有效保證了顆粒級測試良率的穩定,使得芯片修復可靠性的提升,同時降低了芯片的DPM。
聲明:
“DRAM的修復方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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