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            > 16nm FinFET工藝SRAM型FPGA單粒子效應試驗方法

            16nm FinFET工藝SRAM型FPGA單粒子效應試驗方法

            1231   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
            2023-03-19 09:00:36
            本發明公開了一種16nm FinFET工藝SRAM型FPGA單粒子效應試驗方法,涉及芯片單粒子效應試驗技術領域,解決高端制程單粒子效應測試的技術問題,方法包括:S1.使用Verilog HDL硬件描述語言編寫SRAM型FPGA中指定模塊的電路配置文件;S2.設定電流閾值并配置到SRAM型FPGA的開發板的電源控制模塊;S3.輻照源以初始輻照量輻照SRAM型FPGA;S4.使用Maxim DigitalPower電流檢測軟件實時讀取SRAM型FPGA的電流值,若電流值超過電流閾值,則進行失效機理分析,試驗結束;S5.使用Beyond Compare軟件讀取SRAM型FPGA的rbd配置信息文件,若讀取正常,則通過比較輻照前后讀取的rbd配置信息文件的配置信息;否則,記錄指定模塊發生單粒子功能中斷;S6.加大輻照源的輻照量,執行步驟S4。
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            “16nm FinFET工藝SRAM型FPGA單粒子效應試驗方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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