本發明提供了一種基于輻照試驗環境模擬的SRAM型FPGA測試方法,對采用SRAM型FPGA實現的電路進行故障注入,通過持續向電路中注入隨機地址和隨機類型的單粒子翻轉故障,模擬地面輻照試驗中入射粒子LET值、注量率Flux和注量Fluence等參數對電路的影響,對電路加固設計的有效性進行定量評估。本發明可獲取電路動態翻轉截面隨LET值變化的特性曲線,預估其在軌失效率。
聲明:
“基于輻照試驗環境模擬的SRAM型FPGA測試方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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