基于米勒平臺電壓的MOSFET退化評估方法及采用該方法的MOSFET剩余壽命預測方法,涉及半導體退化評估及壽命預測領域。解決了無法實時在線評估MOSFET退化狀態的問題,同時滿足了對MOSFET的剩余壽命預測方法的需求?;诿桌掌脚_電壓的以MOSFET開通波形中的米勒平臺電壓作為敏感特征參數的評估方法:將MOSFET的米勒平臺電壓作為評估器件退化狀態的參數。采用基于米勒平臺電壓的MOSFET退化評估方法獲得MOSFET退化模型,再利用粒子濾波算法對MOSFET退化模型的參數進行修正與更新,并得到新的MOSFET退化模型,從而獲得MOSFET當前狀態距失效閾值的時間差,實現對MOSFET的剩余壽命預測。本發明適用于半導體的退化評估及壽命預測。
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我是此專利(論文)的發明人(作者)