本發明涉及半導體器件失效分析技術領域,尤其涉及一種元器件飽和電流的量測方法和量測系統,該量測方法包括:提供一探針臺,所述探針臺包括吸附卡盤、電學監測儀以及多根探針;將一元器件放置于所述吸附卡盤上且與所述電學監測儀電連接;所述探針臺利用一第一探針在所述元器件的柵極端施加一固定電壓,并利用一第二探針和一第三探針在所述元器件的溝道兩端施加可變電流;以及利用所述電學監測儀,對所述溝道兩端的可變電流進行監測。
聲明:
“元器件飽和電流的量測方法和量測系統” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)