本發明提供的一種檢測低壓阱區和高壓阱區混接的方法,包括:獲取電路版圖,所述電路版圖具有低壓阱區和高壓阱區;判斷所述低壓阱區中是否具有器件;當所述低壓阱區內無器件時,檢測所述低壓阱區上的金屬互連線與所述高壓阱區上的金屬互連線之間是否存在電性連接,若同層的金屬互連線存在電性連接,則所述低壓阱區與所述高壓阱區混接。本發明中,當低壓阱區中具有器件時,可以直接通過電路檢查檢測低壓阱區與高壓阱區是否存在混接,低壓阱區中不具有器件時,通過判斷金屬互連線的連接將低壓阱區和高壓阱區之間連接錯誤檢測出來,避免流片失效風險。
聲明:
“檢測低壓阱區和高壓阱區混接的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)