本發明涉及一種單片集成電路貯存壽命特征檢測方法,包括步驟:對單片集成電路進行外觀質量檢查,并根據檢查結果得到外檢合格品和外檢失效品;對外檢合格品進行電參數測量,并根據測量結果得到終檢合格品和終檢失效品;對終檢合格品進行可靠性特征分析,得到預測貯存壽命。通過對單片集成電路進行外觀質量檢查和電參數測量,選出功能未失效的合格品,并通過對合格品進行可靠性特征分析,得到集成電路的預測貯存壽命,從而可以估測導彈的貯存壽命,解決了對單片集成電路的貯存壽命特征的檢測的問題。
聲明:
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