一種檢測半導體器件的靜電放電性能的方法。所述檢測半導體器件的靜電放電性能的方法包括:收集在靜電放電測試中半導體器件所有測試管腳的失效電壓;對所獲得的失效電壓數據進行概率分布統計;基于所獲得的失效電壓數據的概率分布,獲得外推最低電壓;若外推最低電壓與所獲得的失效電壓數據中的最低值的差值小于臨界范圍,則以所述最低值與靜電放電參考值比較,獲得檢測結果;若外推最低電壓與所獲得的失效電壓數據中的最低值的差值大于或等于臨界范圍,則重新進行靜電放電測試,或者,進行原因分析以及工藝和/或靜電保護設計改進。所述檢測半導體器件的靜電放電性能的方法,其準確性較高,也節省了檢測成本。
聲明:
“檢測半導體器件的靜電放電性能的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)