本發明公開了一種晶圓質量分析方法,通過判斷整盒晶圓的良率是否低于設定值并且在測試項目下的結果是否在設定范圍內;判斷整盒晶圓在測試項目下的失效晶粒分布情況判斷是否屬于已知的失效分布類型;判斷整盒晶圓在測試項目下的失效晶粒分布是否出現判定的整盒晶圓留置類型;判斷單片晶圓在測試項目下的失效晶粒分布是否出現判定的單片晶圓留置類型來判定晶圓的失效分布類型,并根據晶圓的失效分布類型對于晶圓進行質量分析。本發明的晶圓質量分析方法比較客觀并且分析時間較短。
聲明:
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