本發明的一種失效點定位方法,包括:在硅襯底上選取測試結構區域;在測試結構區域中形成互連層結構,該互連層結構的上、下方不設置偽金屬結構;選取該互連層結構作為測試結構,采用光誘導電阻變化技術對該測試結構進行失效點定位;其中,互連層結構的形成方法包括:設計光刻版圖案,測試結構區域中的互連層結構圖案上、下方不設置偽金屬結構的圖案;在硅襯底上形成介質層;利用光刻版為模版,經光刻和刻蝕,在介質層中形成互連層結構,互連層結構上、下方不具有偽金屬結構。本發明的方法,去除了偽金屬對激光束的阻礙,激光束可以直接照射到測試結構上,儀器能夠接收到準確的反饋信號,從而提高了失效點定位準確率。
聲明:
“失效點定位方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)