本發明涉及定位測試結構失效位置的方法,涉及半導體集成電路失效分析技術,首先獲得測試結構的失效模型,然后將測試結構中的器件結構中的PN結開啟,利用顯微鏡定位到存在PN結導通區域的測試結構組,而可快速定位到目標區域,最后根據失效模型向器件的失效模型對應的端子施加測試信號,獲得對應端子的測試信號的異常發光點,并將倍率逐漸放大,進而鎖定到失效位置,如此通過PN結開啟可快速定位到目標區域,然后通過切換測試條件而快速鎖定到失效位置,且可避免現有技術中的因背景噪聲信號較大,會淹沒失效點信號,而無法定位的問題。
聲明:
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