本實用新型揭示了一種失效檢測結構。所述失效檢測結構包括:形成于半導體基底上的參考部分和檢測部分;所述參考部分和檢測部分皆包括位于所述半導體基底上的第一輔助金屬、覆蓋所述半導體基底和第一輔助金屬的介質層、位于所述介質層上的中央金屬和圍繞所述中央金屬的第二輔助金屬、以及位于所述中央金屬上的插塞,所述第二輔助金屬與所述中央金屬之間具有一溝槽;所述參考部分中插塞與中央金屬的邊緣的距離大于所述檢測部分中插塞與中央金屬的邊緣的距離。通過比較參考部分和檢測部分相應的漏電流,能夠判斷出缺陷類型,并得到較為精確的缺陷數據。本實用新型降低了檢測成本,提高了檢測效率。
聲明:
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我是此專利(論文)的發明人(作者)