本發明提供一種用于失效分析的方法。所述方法包括:在待測芯片的特定位置引入失效;測試出失效位置的電性地址;以及基于所述特定位置和所述電性地址確定電性失效地址與物理失效地址之間的轉換關系。本發明所提供的用于失效分析的方法可以有效確認電性失效地址與物理失效地址之間的對應關系,從而可以基于測試到的電性失效地址精確計算出芯片上實際失效的物理單元的地址,為下一階段的物理失效分析提供良好基礎。
聲明:
“用于失效分析的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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