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            芯片失效分析方法

            964   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
            2023-03-19 08:59:29
            本發明提供一種芯片失效分析方法,用于檢測芯片柵極的缺陷特征,其步驟包括:通過機械研磨去除進行失效分析的芯片的襯底和有源區的大部分;通過濕法刻蝕去除芯片殘存的襯底和有源區;通過干法刻蝕去除芯片的柵氧層的大部分,保留的部分柵氧層用于保護柵極第一多晶硅層;檢測所述第一多晶硅層是否存在缺陷特征。本發明方法可將芯片準確剝離至柵極第一層多晶硅的底部,測得其底部的精確尺寸參數,并可大大提高工作效率,節省時間成本。
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