本發明提供一種芯片失效分析方法,用于檢測芯片柵極的缺陷特征,其步驟包括:通過機械研磨去除進行失效分析的芯片的襯底和有源區的大部分;通過濕法刻蝕去除芯片殘存的襯底和有源區;通過干法刻蝕去除芯片的柵氧層的大部分,保留的部分柵氧層用于保護柵極第一多晶硅層;檢測所述第一多晶硅層是否存在缺陷特征。本發明方法可將芯片準確剝離至柵極第一層多晶硅的底部,測得其底部的精確尺寸參數,并可大大提高工作效率,節省時間成本。
聲明:
“芯片失效分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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