本發明公開了一種p型銅鐵礦結構透明導電氧化物薄膜的制備方法,是先按銅、鉻和M的摩爾比為1∶(0.75~1)∶(0~0.25),稱量氧化亞銅、氧化鉻及金屬M的氧化物,將原料混合后球磨;再將球磨之后的粉末壓坯,制備成復合靶材,靶材為常溫制備未經高溫燒結,氧化亞銅和氧化鉻及M的氧化物未發生化學反應;用得到的靶材通過脈沖激光沉積法在基板上沉積CuCr1-xMxO2薄膜,0≤x≤0.25。制得的銅鐵礦結構多晶CuCr1-xMxO2(0≤x≤0.25)薄膜具有較高的電導率和可見光透過率,實驗結果具備可重復。
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