本發明公開了一種InAs/GaSb超晶格紅外探測器及其制作方法,針對現有技術中,在外延生長數百周期InAs/GaSb超晶格材料時,InAs與GaSb之間存在晶格失配,累積的應力導致InAs/GaSb超晶格材料中形成大量的生長缺陷的問題,本發明提出一種兩步Sb浸潤的方法,在生長InAs層之后先沉積一層Sb,形成富Sb表面,然后沉積In,之后再沉積一層Sb,使In與Sb充分反應,形成高質量的InSb界面層,以此平衡和消除InAs與GaSb之間的應力,提高InAs/GaSb超晶格材料的質量。同時,本發明在InAs/GaSb超晶格結構和GaSb襯底之間引入AlAsSb犧牲層,實現了襯底的無損剝離。
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