本發明涉及一種碳化硅基底上的石墨烯的層數測量方法。本發明屬于光譜分析技術領域。碳化硅基底上的石墨烯的層數測量方法,工藝步驟:(1)利用熱解外延法在碳化硅的硅面生長出具有厚度層數的石墨烯樣品;(2)利用X射線光電子能譜對樣品進行測量;(3)利用掃描到的XPS能譜,計算284.5eV處C-C鍵中的C1s電子的衍射光子積分強度,以及282.9eV處Si-C鍵中的C1s電子的衍射光子積分強度;(4)將衍射光子積分強度帶入到衍射光子積分強度與石墨烯厚度的函數關系式中,求出樣品的石墨烯厚度;(5)將石墨烯厚度與石墨烯的原子層間距作比,得到樣品石墨烯的層數。本發明具有快速、準確測量,無需將石墨烯從基底上剝離,無損測量,方便器件加工和性能測試等優點。
聲明:
“碳化硅基底上的石墨烯的層數測量方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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