一種鑒別和測量半導體材料中摻雜元素的方法,該方法包括:(1)通過一套X-射線衍射裝置,向硅晶樣品表面發射X-射線,含有摻雜劑的硅晶樣品表面在X-射線的轟擊下包含摻雜劑元素在內的金屬元素發生衍射光譜;(2)通過檢測器接收衍射光譜;(3)通過特征光譜譜線位置來判定元素的種類。本發明的優點是:含有的摻雜元素直拉單晶硅材料時不需要特別制樣,直拉單晶硅材料是不接觸的,不會對直拉單晶硅材料造成沾污,幾乎是無損傷的,只需要5-180秒即可顯示檢測結果,特別適合現場鑒別,同時,本發明提供的方法也可以測量硅晶材料中摻雜劑的含量。
聲明:
“鑒別和測量半導體材料中摻雜元素的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)