本發明涉及一種重摻雜p型SiC晶片缺陷的檢測方法,屬于晶體生長技術領域,當摻雜濃度低,晶片透明,采用光學顯微鏡等無損觀察其缺陷;當摻雜濃度高時,晶片不透明,采用熔融狀態下的KOH或NaOH或其他堿的熔融液,對p型SiC進行腐蝕,然后在顯微鏡下觀察腐蝕坑,進而可以表征晶體缺陷。根據腐蝕坑的大小、深度、形狀和密度可以判定晶體缺陷的種類以及晶體質量。本申請采用了光學無損檢測和堿液熔融腐蝕相結合的方法分析p型SiC晶片的缺陷信息,最大程度降低了材料損失,并提高了分析效率。
聲明:
“重摻雜p型SiC晶片缺陷的檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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