本發明公開了一種無損測量納米線陣列比表面積和密集度的裝置,所述納米線陣列垂直設于導電基底層頂面,該裝置包括電解池,設于所述導電基底層底面的背電極,設于所述納米線陣列對應側的對電極,以及覆蓋于所述導電基底層頂面未生長納米線區域的絕緣層;所述納米線陣列和所述對電極浸入所述電解池中的電解液內,同時所述導電基底層和所述背電極與所述電解液絕緣設置,最后在所述背電極和所述對電極之間加上偏壓U形成電解池回路結構,其優點在于,本發明測量納米線陣列比表面積和密集度的方法為無損測量,同時適用于大面積一維納米結構陣列的比表面積和密集度測量,且不會破壞納米線陣列的完整性。
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