本發明公開了一種用于SIM卡芯片的無損測量方法,SIM卡芯片置于SIM卡模塊內部,該無損測量方法包括以下步驟:S1,將SIM卡模塊放置在超聲掃描顯微鏡的試驗臺上;S2,將超聲掃描顯微鏡開啟正面掃描模式,直接對SIM卡模塊進行檢測;S3,將超聲掃描顯微鏡開啟反射掃描模式生成超聲波圖像和波形曲線;S4,對波形曲線進行圖形分析;S5,根據公式計算出SIM卡芯片的厚度值;S6,根據步驟S5中計算得到的SIM卡芯片的厚度值與規定的厚度值范圍進行比對。本發明的SIM卡芯片測量方法為無損檢測手段,不會破壞芯片,不影響后續使用,且簡單易操作、準確度高、可以大大節省測量時間和成本,有利于大批量、快速的樣品檢測。
聲明:
“用于SIM卡芯片的無損測量方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)