本發明屬于納米酞菁銦制備技術領域,具體公開一種新晶體結構酞菁銦納米線及其制備方法,所述酞菁銦納米線的X?射線衍射譜在下列的2θ處具有一個或多個特征峰7.338、16.635、21.285、23.253、25.222、27.164、27.769、28.217;所述X?射線衍射譜的測試條件為:CuKα1,0.02°/step/1s;其制備方法包括放入酞菁銦源料至水平管式爐中的加熱區域,在載氣氛圍下,以階梯升溫的方式加熱,升溫速率為1?8℃/min,加熱酞菁銦源料至470?800℃,通過該載氣,引導該升華的酞菁銦離開該加熱區域,至生長區域得到酞菁銦納米線,本發明得到具有特定結構的InPC均勻性好,平均直徑為100nm以下,納米線束的長度通常為10mm以上,提升和改善了酞菁銦的物理和化學性質,能更好地應用于光電導材料、液晶彩色顯示等領域中。
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