本發明公開了一種兩步法制備二硫化鉬薄膜的工藝。其步驟:A、對襯底表面進行清洗;B、稱取三氧化鉬粉末放置在石英舟內,置于管式爐內;將襯底置于裝有三氧化鉬的石英舟下游;C、稱取硫粉于料瓶中,將伴熱帶纏繞在料瓶外圍且置于管式爐體外,料瓶中的進、出氣管接入管式爐的進氣管路中;D、抽真空,通入Ar將管式爐加熱,進行第一步沉積;E.第一步沉積結束后,進行第二步沉積;F、將料瓶加熱,然后通入Ar進行三氧化鉬的硫化;G.將料瓶與管式爐自然降至室溫,取出樣品進行測試。采用本工藝,避免了傳統化學氣相沉積過程中硫的蒸發時間的不可控所導致的三氧化鉬的提前硫化,采用兩步法制備二硫化鉬薄膜,能夠使整個反應過程更加可控。
聲明:
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