本發明公開了抗壞血酸在增強N型半導體穩定性中的應用及一種增強N型半導體穩定性的方法,屬于半導體材料技術領域。所述方法為在N型半導體器件表面構筑抗壞血酸薄膜,所述抗壞血酸薄膜的制備方法為:將抗壞血酸溶液通過懸涂法、提拉法或滴注法均勻涂布在所述N型半導體器件表面,自然固化或者真空退火固化。所述抗壞血酸溶液中還加入聚氨酯溶液。該方法采用氧消除的策略,抗壞血酸可以清除已加入N型半導體中的氧,消除禁帶中的相關陷阱狀態,防止N型半導體的進一步降解。利用本發明的方法所制備的N型半導體器件的遷移率等電學性能提升,操作穩定性和長時間存儲穩定性均得到提高。
聲明:
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