本發明涉及利用FIB沉積納米錐形底電極從而制備硫系化合物存儲單元器件的方法,其 包括以下步驟:首先,在(100)取向的硅片上面,應用化學氣相沉積的方法制備一層SixN介 質層;然后使用磁控濺射的方法沉積Al/Ti/TiN作為底層電極材料;于底層電極材料上利用 離子束法沉積氧化硅作為介質層;利用電子束曝光結合反應離子刻蝕的方法制備若干氧化硅 孔;于氧化硅孔內利用聚焦離子束系統制備所需要的錐形底電極;利用光刻剝離的方法于底 電極上沉積相變材料層;之后利用聚焦離子束引出上層測試電極;最后離子束沉積法濺射氧 化硅作為絕熱保護層。本發明有助于制備新型的低功耗相變存儲器,為研究20nm以下尺寸相 變存儲器的性能提供有效的方法,促進相變存儲器的發展。
聲明:
“低功耗相變存儲器的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)