本發明提供一種改善層間介質層研磨后返工工藝的方法,用于對層間介質層研磨后的半導體襯底進行返工,所述層間介質層被過量研磨,所述層間介質層具有目標厚度,包括:測量所述層間介質層的實際厚度;根據所述層間介質層的實際厚度與所述層間介質層的目標厚度的差異,獲得補償膜層的厚度,所述補償膜層用于覆蓋所述層間介質層的表面;獲得覆蓋膜層的目標厚度,所述覆蓋膜用于覆蓋所述補償膜層的表面;根據所述補償膜層與所述覆蓋膜層的厚度之和,進行一次沉積工藝,形成所述補償膜層和覆蓋膜層。本發明減少了等離子體增強化學氣相沉積工藝給下方的層間介質層帶來的損傷,減少了研磨誤差帶來的器件性能漂移。
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