本發明提供了一種高平整度8英寸硅片的拋光工藝,包括如下步驟:步驟一:測試硅片表面平整度前值,然后將硅片表面涂拋光蠟,之后將拋光蠟甩勻,對拋光蠟進行烘烤使蠟具有粘性,后將涂有拋光蠟的一面貼在高溫的陶瓷盤上,待貼滿硅片的陶瓷盤冷卻;步驟二:對于冷卻的陶瓷盤進行粗拋光、中拋光及精拋光,得到光亮平整的硅片;步驟三:將步驟二得到的硅片鏟下后進行ADE9600測試表面平整度。本發明所述的通過改善拋光過程中的粗拋光的工藝參數來平衡機械作用及化學作用,改善拋光片表面平整度,相對于現有工藝,可以降低拋光產品的TTV、TIR、STIR及TAPER。
聲明:
“高平整度8英寸硅片的拋光工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)