本發明公開了一種基于超構表面結構的像素級片上光譜芯片工藝制備方法,采用紫外光刻、擴散、電子束蒸發鍍膜、刻蝕等工藝在InP/InGaAs/InP材料上制備寬波段InGaAs光敏元,采用納米壓印、反應離子刻蝕、低壓化學沉積等工藝片上集成制備像素級微濾光面陣,微濾光單元與光敏元一一對應,最后采用倒裝互聯焊接工藝將讀出電路與寬波段InGaAs光敏元集成微濾光面陣精準對接互聯。本發明的有益效果:適用于光譜成像儀小型化需求,實現精細的圖譜信息采集,根據不同觀測物特征波長設計制備多通道窄帶濾光片,實現對不同被測目標的光譜成像,兼容MEMS工藝制備,其次采用納米壓印工藝使批量制備成本低,有利于推廣應用。
聲明:
“基于超構表面結構的像素級片上光譜芯片工藝制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)